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2013年10月1日-baSiC-T營運成(cheng)本低且自動化程(cheng)度高(gao),這推動碳化矽實現經(jing)濟型大規模生產(chan)。除了baSiC-T以外,PVATePla的(de)其它一系列設備已經(jing)用於電力電子產(chan)業。

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2013年3月14日-在這一性價比上,通過提高效率(lv)和(he)由(you)於基於碳化矽系(xi)統(tong)帶來的較小尺寸(cun)和(he)重(zhong)量降低安裝成(cheng)本,他(ta)們(men)能夠為(wei)原始設(she)備制造商(shang)降低系(xi)統(tong)成(cheng)本并為(wei)終(zhong)端用戶(hu)提供其它的節(jie)約。

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[圖文]在資金方面(mian),由於碳化矽材料的成(cheng)本約占終零組件(jian)成(cheng)本的40%以上,加上生產時(shi)需(xu)要特(te)定(ding)的設備與制程,因此對於零組件(jian)廠商(shang)來說將形成(cheng)一個(ge)強大的資金障礙。圖二SiC零組件(jian)。

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市場報導:2007年碳化矽(SiC)晶圓將可達80萬片

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[圖文]在(zai)矽基板上面長(chang)晶,這種方法的(de)意義(yi)在(zai)于要降(jiang)低大尺寸晶圓在(zai)生產為LED時的(de)成本機械(xie)性(xing)能差不(bu)易切割通過激光劃片所克服,很(hen)大的(de)熱失配對(dui)外延層形成壓應(ying)力因而不(bu)會。

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藍寶石碳化矽兩強相爭勝負未定,矽基板GaN基板可能會異軍突起

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[圖文]2012年11月29日-目前市(shi)場上LED用(yong)(yong)到的(de)襯底材料(liao)有藍寶石、碳化(hua)矽(xi)可以采用(yong)(yong)IC廠折舊的(de)自動(dong)化(hua)矽(xi)工(gong)藝線,設備(bei)折舊而(er)矽(xi)襯底材料(liao)的(de)生(sheng)產技術已非(fei)常成熟,大尺(chi)寸矽(xi)。

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(鐵氟龍(long)、碳化矽、鉆石)鋁(lv)合金硬(ying)質陽極處理(li)。(HardAnodizing-硬(ying)陽處理(li))主(zhu)要(yao)生產設(she)備(bei)、環保設(she)備(bei)及品檢(jian)儀器(qi):2002年11月(yue)參加廣(guang)州第十(shi)六屆(jie)中國(guo)國(guo)際表面(mian)。

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