碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶(tao)瓷材料等離子(zi)發射光(guang)譜法微(wei)量雜質(zhi)元素測定(ding)微(wei)電子(zi)工業發動機雜質(zhi)分析高(gao)溫技術聚變(bian)裝置微(wei)量元素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲化(hua)鉛(qian)(qian)(PbTe)、砷(shen)化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(qian)(qian)(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等。與(yu)金屬(shu)材料不同,半導(dao)體(ti)中雜質含量和(he)外界條(tiao)件的改(gai)變(如溫度變化(hua)、受光照射(she)等),都會(hui)使半導(dao)體(ti)的。
碳化硅_百度百科
怎樣(yang)去除碳化硅(gui)制品(pin)中(zhong)的雜(za)(za)質(zhi)沒有(you)任何一件事物是(shi)(shi)沒有(you)雜(za)(za)質(zhi)的,即便是(shi)(shi)很多化學原料或者經過(guo)多重步(bu)驟產生(sheng)的高科技(ji)產品(pin),所以,目(mu)前市場上出現的碳化硅(gui)產品(pin)也有(you)很多雜(za)(za)質(zhi)。但是(shi)(shi)。
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本(ben)發明涉及一(yi)種應(ying)用X射線(xian)熒光光譜法檢(jian)測碳化(hua)硅雜(za)質(zhi)含(han)量的方法,其(qi)步驟如下:1、制(zhi)(zhi)備測試樣片(pian);2、制(zhi)(zhi)備標準樣片(pian):①提(ti)純(chun)碳化(hua)硅的制(zhi)(zhi)樣;②碳化(hua)硅提(ti)純(chun),制(zhi)(zhi)備出純(chun)品碳化(hua)硅;③。
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現在的(de)原(yuan)料主要成分是硅(gui)和碳化(hua)硅(gui)的(de)混合物,里面含有少量鐵(tie)雜質,怎樣除去(qu)鐵(tie),請各位(wei)賜教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳化(hua)硅(gui)晶體中的(de)(de)雜(za)質(zhi)是:鐵(tie)、鋁(lv)、鈣、鎂、硅(gui)等的(de)(de)氧化(hua)物(wu)(wu)(wu)和(he)碳化(hua)物(wu)(wu)(wu),以(yi)及它們的(de)(de)共(gong)熔物(wu)(wu)(wu)。這些雜(za)質(zhi)在冶(ye)煉爐熱動力條件下,溫度在2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化(hua)硅因其相較α-碳化(hua)硅擁有(you)更高(gao)的比(bi)表面(mian)積(ji),所以可用于非(fei)均相催化(hua)劑(ji)的負載體。純(chun)的碳化(hua)硅是(shi)無色(se)(se)的,工業用碳化(hua)硅由于含有(you)鐵等雜質而(er)呈現(xian)棕色(se)(se)黑色(se)(se)晶體。
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開始時(shi)間(jian):結束時(shi)間(jian):雜質碳(tan)(tan)加工工藝-催化劑,二氧(yang)化碳(tan)(tan),碳(tan)(tan)化硅,X射線(xian),生產碳(tan)(tan)化硅版的出(chu)價(jia)/購(gou)買記(ji)錄Top一(yi)口價(jia):元該物品已下架立(li)即(ji)購(gou)買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱(re)率:碳(tan)化硅制品的導熱(re)率非(fei)常非(fei)常高,熱(re)膨脹參(can)數小(xiao)巧(qiao),抗熱(re)震(zhen)性(xing)非(fei)常非(fei)常高,是優質的耐火材料。3、電(dian)學屬(shu)性(xing)恒溫下工(gong)業碳(tan)化硅是一種半導體(ti),屬(shu)雜(za)質導電(dian)性(xing)。高純度。
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阿里巴巴供(gong)應綠色碳化(hua)硅雜質少(shao)硅含量(liang)98.5河(he)南(nan)SIC碳化(hua)硅生(sheng)產基地,研磨材料(liao),這里云集(ji)了(le)眾多的供(gong)應商,采購商,制造商。這是供(gong)應綠色碳化(hua)硅雜質少(shao)硅含量(liang)98.5河(he)南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅中雜質的(de)(de)(de)形(xing)態-碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅中雜質的(de)(de)(de)形(xing)態碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅的(de)(de)(de)研(yan)發成功并很好的(de)(de)(de)利(li)用(yong)是(shi)市場發展過程中的(de)(de)(de)一大進步點,特別是(shi)對(dui)于1893年艾奇遜的(de)(de)(de)發明為引(yin)子(zi),由(you)此(ci)推出(chu)的(de)(de)(de)國(guo)內由(you)趙廣和。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日-碳化(hua)硅(gui)在現代(dai)工業生(sheng)產中的(de)應用(yong)范圍比較(jiao)廣泛,比較(jiao)為人們(men)所了解的(de)是(shi)應用(yong)于(yu)磨料(liao)、磨具領域(yu)。但(dan)是(shi)隨(sui)著(zhu)科學技術的(de)進(jin)步,人們(men)對(dui)碳化(hua)硅(gui)的(de)認識也逐漸(jian)深入,由此(ci)開發(fa)。
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碳化(hua)硅(SiC)是用石(shi)英砂、石(shi)油焦(jiao)(或(huo)煤(mei)焦(jiao))、木屑為原(yuan)料通過(guo)電阻爐高溫(wen)冶煉(lian)而成。碳化(hua)硅在大自然也(ye)存在罕見的礦物,莫桑石(shi)。碳化(hua)硅又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳化硅(gui);物(wu)理性(xing)質性(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍(lan)(lan)黑色(se)(se)結晶(jing)性(xing)粉末.含雜質的碳化硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固性(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍(lan)(lan)黑色(se)(se)結晶(jing)性(xing)粉末.含雜質的碳化硅(gui)為綠(lv)色(se)(se),固溶有(you)炭和金屬氧化物(wu)雜質呈黑色(se)(se)。密。
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論文天下提供(gong)的(de)<二(er)次(ci)離(li)(li)子質(zhi)譜分(fen)析(xi)碳化硅中釩雜(za)質(zhi)含(han)量(liang)的(de)研究;論文包括碳化硅二(er)次(ci)離(li)(li)子質(zhi)譜釩摻雜(za)定(ding)量(liang)分(fen)析(xi)二(er)次(ci)離(li)(li)子質(zhi)譜分(fen)析(xi)離(li)(li)子注入樣品等其他相關內容論文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月24日-碳(tan)化(hua)硅俗稱(cheng)金剛石,又稱(cheng)碳(tan)硅石,主要用作耐磨材料,耐火材料,核反(fan)應(ying)堆材料及(ji)制造(zao)電阻發熱硅碳(tan)棒(管(guan)(guan)),半導體(ti)元(yuan)件(jian)(jian),C二(er)級管(guan)(guan),晶體(ti)管(guan)(guan),電器元(yuan)件(jian)(jian),火箭(jian)噴管(guan)(guan)等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域:新能源光伏需(xu)求(qiu)(qiu)類型:技術服務需(xu)求(qiu)(qiu)編(bian)號:189-07制粉是碳(tan)化(hua)硅微粉生(sheng)產中的重要工序(xu),但(dan)由于碳(tan)化(hua)硅的硬(ying)度(du)較高,其莫氏(shi)硬(ying)度(du)為(wei)9.5級(ji),在莫氏(shi)硬(ying)度(du)標準中僅低于金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用ICP-MS法對高純碳化硅(gui)粉表(biao)面的(de)Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質進行(xing)測定,用氫(qing)氟酸溶(rong)液浸提試(shi)樣表(biao)面雜質,用釔做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一(yi)種無TiC雜質(zhi)相的碳化硅鈦陶(tao)瓷粉體的合(he)成(cheng)方法,其特征在于:(1)以Ti粉、Si粉和TiC本(ben)發明(ming)公開了一(yi)種低(di)成(cheng)本(ben)無TiC雜質(zhi)相的碳化硅鈦陶(tao)瓷粉體的常壓合(he)成(cheng)方法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂(yi)市金蒙碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)有限公司是一家(jia)擁有國內先進的(de)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微粉(fen),碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)粒度砂,生(sheng)產線和工藝技術,服務(wu)熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年(nian)5月9日-碳化硅電(dian)(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)子器件(jian)研發進展(zhan)與存在問題,1引言借助于微(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子技(ji)術的(de)長足發展(zhan),以硅器件(jian)為基礎(chu)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)子技(ji)術因大功率(lv)場效應晶(jing)體管(功率(lv)MOS)和絕緣柵雙極晶(jing)體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離(li)硅(gui)(gui)。它(ta)一部(bu)分溶解于SiC晶體中,一部(bu)分與其雜質(如鐵、鋁(lv)、鈣等)形成合金而粘附(fu)于晶體上或嵌在晶體中。2、游離(li)二氧化硅(gui)(gui)。通常存在于晶體表(biao)面。大都是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)SiC中基態(tai)施(shi)主能(neng)級分裂對(dui)雜質(zhi)電離的影響(xiang),與溫度、摻雜濃(nong)度和雜質(zhi)能(neng)級深(shen)度的關系(xi)進行了系(xi)統研究。發現只有在高溫且(qie)摻雜濃(nong)度低(di)的情況下,能(neng)級分裂的影響(xiang)很小(xiao)可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅結合(he)碳化硅材(cai)(cai)料(liao)反應燒結時的雜質相行為分析,郝小勇;-陶瓷工程1998年第03期在(zai)線閱(yue)讀、文章下載。<正(zheng);l前言Si3N4結合(he)SIC材(cai)(cai)料(liao)的研究(jiu)近年來在(zai)國(guo)內(nei)發展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析了(le)Si3N4結(jie)合(he)Si3C材(cai)料(liao)反應燒(shao)結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的反應行為。氮化(hua)硅(gui)結(jie)合(he)碳化(hua)硅(gui)材(cai)料(liao)反應燒(shao)結(jie)時的雜質相行為分(fen)析前言:分(fen)析了(le)Si3N4結(jie)合(he)Si3C材(cai)料(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使用(yong)的切(qie)割(ge)液和(he)碳(tan)(tan)化硅(gui)微(wei)粉在線(xian)切(qie)割(ge)過程中,砂漿(jiang)(jiang)中不可避(bi)免的會混入硅(gui)粉、鐵(tie)、高聚物等雜質,部分碳(tan)(tan)化硅(gui)微(wei)粉也會因(yin)切(qie)割(ge)作用(yong)而(er)出現破(po)損,產生的廢砂漿(jiang)(jiang)很難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅結(jie)合碳化硅材(cai)料反(fan)(fan)應燒結(jie)時的(de)雜質(zhi)相(xiang)行為分(fen)析(xi)-分(fen)析(xi)了(le)Si3N4結(jie)合Si3C材(cai)料反(fan)(fan)應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相(xiang)的(de)反(fan)(fan)應行為。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅質(zhi)(zhi)泡沫陶(tao)瓷(ci)過(guo)濾片(pian),去孔,濾渣,吸附(fu)雜質(zhi)(zhi)泡沫陶(tao)瓷(ci)過(guo)濾片(pian)簡(jian)介泡沫陶(tao)瓷(ci)過(guo)濾器的過(guo)濾機理(li):整流(liu)(liu)作用:在澆鑄(zhu)系統中放(fang)置泡沫陶(tao)瓷(ci)過(guo)濾片(pian)后,金屬液(ye)流(liu)(liu)阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄泰碳(tan)素有限公司碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)簡介:碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)英文(wen)名稱(cheng):siliconcarbide,俗稱(cheng)金(jin)剛砂。純碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)是無色(se)透明的晶體(ti)。工業碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)因所含雜質(zhi)的種類和含量不同(tong),而呈(cheng)淺黃、綠、藍。