碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶(tao)瓷材料等離子發(fa)射光譜(pu)法微量雜質(zhi)(zhi)元素測定微電子工業發(fa)動機雜質(zhi)(zhi)分析高溫技(ji)術聚變裝置微量元素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲化(hua)鉛(qian)(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(qian)(PbS)、碳化(hua)硅(gui)(SiC)等。與金屬(shu)材料不同(tong),半導體(ti)中雜質含量和(he)外界條件的(de)改變(如溫度變化(hua)、受(shou)光照射等),都會使半導體(ti)的(de)。
碳化硅_百度百科
怎(zen)樣去除碳(tan)化硅制品中的(de)雜質沒有(you)(you)(you)任何一件事物是(shi)沒有(you)(you)(you)雜質的(de),即便是(shi)很多(duo)化學原料或者經(jing)過多(duo)重步驟產(chan)生的(de)高(gao)科技產(chan)品,所以(yi),目前(qian)市(shi)場上出現的(de)碳(tan)化硅產(chan)品也有(you)(you)(you)很多(duo)雜質。但是(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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本發明涉及一(yi)種應用(yong)X射線熒光(guang)(guang)光(guang)(guang)譜法檢測碳(tan)(tan)化(hua)硅雜質(zhi)含量的(de)方法,其步驟如(ru)下(xia):1、制備(bei)測試(shi)樣(yang)片;2、制備(bei)標(biao)準(zhun)樣(yang)片:①提純(chun)碳(tan)(tan)化(hua)硅的(de)制樣(yang);②碳(tan)(tan)化(hua)硅提純(chun),制備(bei)出純(chun)品碳(tan)(tan)化(hua)硅;③。
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現在的原料主要成分(fen)是硅和碳化硅的混合物,里(li)面(mian)含有少量鐵雜(za)質,怎樣除去鐵,請(qing)各位(wei)賜教,謝(xie)謝(xie)。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳化(hua)硅晶(jing)體中的(de)雜質是:鐵、鋁、鈣、鎂、硅等的(de)氧化(hua)物和碳化(hua)物,以及它們(men)的(de)共熔物。這些雜質在(zai)冶煉(lian)爐熱動力條件下,溫度在(zai)2100——2200℃時(shi)被蒸(zheng)發(fa)排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)因(yin)其相(xiang)較α-碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)擁有更高的(de)比表面(mian)積,所以可用(yong)于(yu)非(fei)均相(xiang)催(cui)化(hua)(hua)(hua)劑(ji)的(de)負載體。純的(de)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)是無色的(de),工(gong)業(ye)用(yong)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)由(you)于(yu)含有鐵等雜(za)質而呈現棕色黑色晶(jing)體。
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開始時間:結束時間:雜質碳(tan)加工工藝-催(cui)化(hua)劑,二氧化(hua)碳(tan),碳(tan)化(hua)硅,X射線(xian),生(sheng)產碳(tan)化(hua)硅版的出價/購(gou)買記錄Top一口價:元該物品已下(xia)架(jia)立(li)即購(gou)買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)(dao)熱(re)率(lv):碳化(hua)硅制(zhi)品的(de)導(dao)(dao)熱(re)率(lv)非常非常高,熱(re)膨脹(zhang)參數小巧,抗熱(re)震性非常非常高,是(shi)優質的(de)耐火材料。3、電學(xue)屬(shu)性恒溫(wen)下(xia)工業碳化(hua)硅是(shi)一種半導(dao)(dao)體(ti),屬(shu)雜(za)質導(dao)(dao)電性。高純度。
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阿里(li)巴巴供應(ying)綠色碳化硅(gui)雜(za)質少硅(gui)含(han)量98.5河(he)南SIC碳化硅(gui)生產基地(di),研磨材(cai)料,這(zhe)里(li)云集(ji)了眾多的供應(ying)商(shang),采購(gou)商(shang),制造商(shang)。這(zhe)是(shi)供應(ying)綠色碳化硅(gui)雜(za)質少硅(gui)含(han)量98.5河(he)南。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
馬可波羅網(makepolo.)提供溫(wen)縣華(hua)泰果殼研磨濾料(liao)廠相關(guan)企業介紹(shao)及產(chan)品信息主要(yao)以綠色碳化硅(gui)硬度高,雜質少硅(gui)含量98.5優質碳化硅(gui)材料(liao)為主,還包括了(le)綠色碳化硅(gui)。
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舉(ju)報文檔(dang)(dang)介紹暫無描述文檔(dang)(dang)分(fen)(fen)類(lei)待分(fen)(fen)類(lei)文檔(dang)(dang)格式.pdf文檔(dang)(dang)標簽加熱棒碳化(hua)硅石墨雜質(zhi)數(shu)值(zhi)溫(wen)度評論(lun)評論(lun)的時候,請遵紀(ji)守(shou)法并注意語言文明(ming),多(duo)給文檔(dang)(dang)。
碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)化(hua)硅中雜(za)質的(de)形(xing)態-碳(tan)化(hua)硅中雜(za)質的(de)形(xing)態碳(tan)化(hua)硅的(de)研發(fa)成功并很好的(de)利用是(shi)市場發(fa)展過程(cheng)中的(de)一(yi)大(da)進步點(dian),特(te)別是(shi)對于(yu)1893年艾(ai)奇遜的(de)發(fa)明為引子,由此推出的(de)國內由趙(zhao)廣和(he)。
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2011年6月14日-碳(tan)化硅(gui)在現代工業生(sheng)產中的(de)應(ying)用范圍(wei)比(bi)較(jiao)廣泛,比(bi)較(jiao)為(wei)人們所(suo)了解的(de)是(shi)應(ying)用于磨料、磨具領域。但是(shi)隨著科(ke)學(xue)技(ji)術(shu)的(de)進步,人們對(dui)碳(tan)化硅(gui)的(de)認識也逐(zhu)漸深入,由此開發(fa)。
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碳(tan)化硅(SiC)是用(yong)石(shi)英砂、石(shi)油焦(jiao)(或煤(mei)焦(jiao))、木屑為原(yuan)料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳(tan)化硅在(zai)大自然也存在(zai)罕見的礦(kuang)物,莫(mo)桑石(shi)。碳(tan)化硅又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳化(hua)硅;物理性質性狀:綠色(se)(se)藍黑(hei)色(se)(se)結晶(jing)性粉末.含雜(za)(za)質的碳化(hua)硅為綠色(se)(se),固(gu)性狀:綠色(se)(se)藍黑(hei)色(se)(se)結晶(jing)性粉末.含雜(za)(za)質的碳化(hua)硅為綠色(se)(se),固(gu)溶有炭和金屬氧(yang)化(hua)物雜(za)(za)質呈黑(hei)色(se)(se)。密。
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論(lun)文天下(xia)提(ti)供的(de)<二(er)(er)次(ci)離子質譜(pu)(pu)分析(xi)碳化(hua)硅中釩雜(za)質含量的(de)研究;論(lun)文包括碳化(hua)硅二(er)(er)次(ci)離子質譜(pu)(pu)釩摻雜(za)定量分析(xi)二(er)(er)次(ci)離子質譜(pu)(pu)分析(xi)離子注入(ru)樣(yang)品(pin)等(deng)其他相關內容論(lun)文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月24日-碳化硅俗稱金剛石,又稱碳硅石,主(zhu)要(yao)用作耐磨材(cai)(cai)料(liao),耐火材(cai)(cai)料(liao),核反(fan)應堆材(cai)(cai)料(liao)及制(zhi)造(zao)電(dian)阻發熱硅碳棒(管(guan)),半導體(ti)元件,C二級管(guan),晶體(ti)管(guan),電(dian)器(qi)元件,火箭噴管(guan)等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領(ling)域:新能源(yuan)光伏需求類型:技術服務需求編號:189-07制粉是碳化硅微粉生產(chan)中的(de)重要(yao)工序,但由(you)于(yu)(yu)碳化硅的(de)硬(ying)度(du)(du)較高(gao),其莫氏(shi)硬(ying)度(du)(du)為9.5級,在莫氏(shi)硬(ying)度(du)(du)標準中僅低于(yu)(yu)金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本(ben)文采(cai)用ICP-MS法對高純碳化硅粉(fen)表面的(de)Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量(liang)雜質進行測定,用氫氟酸溶液浸提試(shi)樣表面雜質,用釔做(zuo)內標補(bu)償。
碳化硅|化合物-查字典
一(yi)種無(wu)TiC雜(za)質相(xiang)的(de)碳化硅(gui)鈦陶瓷粉體(ti)的(de)合成(cheng)方法(fa),其特(te)征在于(yu):(1)以Ti粉、Si粉和(he)TiC本發明公開了一(yi)種低(di)成(cheng)本無(wu)TiC雜(za)質相(xiang)的(de)碳化硅(gui)鈦陶瓷粉體(ti)的(de)常壓合成(cheng)方法(fa),。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市(shi)金蒙(meng)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅有限公司是一(yi)家擁有國(guo)內先進的碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微(wei)粉,黑碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微(wei)粉,黑碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微(wei)粉,碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅粒度砂,生(sheng)產線和工藝技術,服(fu)務熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年(nian)5月9日-碳化硅電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器件研發進(jin)展(zhan)與存(cun)在問題,1引言(yan)借助于微電(dian)子(zi)技術(shu)的長足發展(zhan),以硅器件為基礎的電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技術(shu)因大(da)功率(lv)(lv)場效應(ying)晶體(ti)管(功率(lv)(lv)MOS)和絕緣柵雙(shuang)極晶體(ti)。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅(gui)。它一(yi)部分溶解于SiC晶體(ti)中(zhong),一(yi)部分與其雜質(如(ru)鐵、鋁、鈣等(deng))形(xing)成(cheng)合金而粘(zhan)附于晶體(ti)上或嵌(qian)在晶體(ti)中(zhong)。2、游離二(er)氧化(hua)硅(gui)。通常(chang)存(cun)在于晶體(ti)表面。大都是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中(zhong)基態(tai)施主能(neng)(neng)級(ji)分裂對雜(za)(za)質(zhi)電(dian)離的影(ying)響,與(yu)溫度、摻(chan)雜(za)(za)濃度和雜(za)(za)質(zhi)能(neng)(neng)級(ji)深度的關系進行了(le)系統研究。發現只有在高溫且摻(chan)雜(za)(za)濃度低的情況下(xia),能(neng)(neng)級(ji)分裂的影(ying)響很小可忽(hu)略(lve)不(bu)計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅結(jie)合碳化硅材(cai)料反(fan)應燒結(jie)時的(de)雜(za)質相行為分析,郝(hao)小勇;-陶(tao)瓷工程1998年第03期在(zai)線(xian)閱讀、文(wen)章下載。<正;l前言Si3N4結(jie)合SIC材(cai)料的(de)研(yan)究(jiu)近年來(lai)在(zai)國(guo)內發展較(jiao)快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料反應燒(shao)結時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的反應行為(wei)。氮化(hua)硅(gui)(gui)結合碳化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料反應燒(shao)結時(shi)的雜質相行為(wei)分(fen)析(xi)前言:分(fen)析(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國(guo)內(nei)使用(yong)的(de)切(qie)割(ge)液和(he)碳化(hua)硅微粉(fen)(fen)在線切(qie)割(ge)過(guo)程中,砂漿中不可避免(mian)的(de)會(hui)混(hun)入硅粉(fen)(fen)、鐵、高(gao)聚(ju)物(wu)等雜質(zhi),部分碳化(hua)硅微粉(fen)(fen)也會(hui)因切(qie)割(ge)作用(yong)而出(chu)現破損,產生的(de)廢(fei)砂漿很難繼續(xu)。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)硅結(jie)合碳化(hua)硅材(cai)料反(fan)(fan)應燒(shao)結(jie)時的雜(za)質相行為(wei)分析(xi)-分析(xi)了Si3N4結(jie)合Si3C材(cai)料反(fan)(fan)應燒(shao)結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質相的反(fan)(fan)應行為(wei)。
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碳化硅質(zhi)(zhi)泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾片(pian),去(qu)孔,濾渣,吸附雜(za)質(zhi)(zhi)泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾片(pian)簡(jian)介泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾器(qi)的過(guo)濾機理:整(zheng)流(liu)作用(yong):在(zai)澆鑄系統中(zhong)放置(zhi)泡(pao)沫(mo)(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾片(pian)后,金(jin)屬液流(liu)阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄(zi)博鑄泰碳(tan)素有(you)限(xian)公司碳(tan)化硅簡介(jie):碳(tan)化硅英文(wen)名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳(tan)化硅是無色(se)透明的晶體。工業碳(tan)化硅因所(suo)含雜質的種(zhong)類和含量不(bu)同,而呈(cheng)淺(qian)黃、綠、藍。