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一種(zhong)用四氯化硅與液氨在有(you)機(ji)溶劑(ji)界面反應(ying)生成硅亞(ya)胺,然(ran)后將(jiang)其(qi)加熱分解制得氮化硅粉末(mo)的(de)方(fang)法(fa)及(ji)設備,其(qi)特。
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101136305納米級(ji)氮(dan)化硅(gui)復合材料發熱(re)(re)體(ti)及制作工藝[摘要]本(ben)發明(ming)是對氮(dan)化硅(gui)發熱(re)(re)$902158760低(di)壓燃燒合成氮(dan)化硅(gui)或氮(dan)化硅(gui)鐵(tie)的(de)方法及設備(bei)[摘要]低(di)壓燃燒合成。
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22.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)發(fa)熱(re)體及其制(zhi)造(zao)方(fang)法23.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)發(fa)熱(re)裝置24.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉.其燒(shao)結體.基板.及由此的電路板和熱(re)電元件(jian)模塊25.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末(mo)的制(zhi)造(zao)方(fang)法26.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末(mo)的制(zhi)造(zao)方(fang)法及設備。
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2第(di)三節(jie):3第(di)四節(jie):4第(di)四章:氮化(hua)硅晶(jing)須(xu)主要(yao)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)工(gong)(gong)藝詳述節(jie):氮化(hua)硅晶(jing)須(xu)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)工(gong)(gong)藝流(liu)程(cheng)圖節(jie):氮化(hua)硅晶(jing)須(xu)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)原材料及設備1.生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)。
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一種制造高純度超細氮化(hua)硅的方法(fa)及設(she)備,其特(te)征是硅烷和氨氣的氣相化(hua)學反應(ying)是在立式雙溫區流(liu)態反應(ying)器3中(zhong)進(jin)行,該反應(ying)器流(liu)態床(chuang)底部(bu)設(she)有不銹鋼制造的分配(pei)板31,載(zai)體(ti)。
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[圖文]25、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制造方(fang)(fang)法(fa)(fa)26、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉末的制造方(fang)(fang)法(fa)(fa)及設備27、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)粉體(ti)α相(xiang)(xiang)轉相(xiang)(xiang)裝置28、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)工(gong)程陶瓷燒結新工(gong)藝29、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)和碳化(hua)(hua)硅(gui)一(yi)維納米結構及其制備方(fang)(fang)法(fa)(fa)30。
氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮化硅的生(sheng)產(chan)方(fang)法劉佩珠摘(zhai)要:正本介紹的Si_3N_4的生(sheng)產(chan)方(fang)法如(ru)下:采用固(gu)體二硫化硅與氣(qi)態氨反應,溫度控制(zhi)在800～1450℃,回收無定(ding)形Si_3N_4。。
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在亞微米(mi)的(de)(de)生(sheng)產(chan)制造技(ji)術中,氮(dan)化硅工藝的(de)(de)particle已(yi)經成為(wei)產(chan)品良率(lv)的(de)(de)主要(yao)影響因(yin)素。本文主要(yao)針對立式LPCVD氮(dan)。
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經(jing)營模式(shi):生(sheng)(sheng)產加工(gong)聯系人:童國松(song)電話:0571-86603302傳真:0571-8660330654、一種造(zao)粒燃(ran)燒合(he)成氮(dan)化(hua)硅(gui)的生(sheng)(sheng)產方(fang)法55、氮(dan)化(hua)硅(gui)粉末(mo)的制造(zao)方(fang)法及設(she)備56。
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2012年9月(yue)19日-2CN02100873.6一(yi)種制造電(dian)池(chi)的燒結(jie)鎘(ge)負極(ji)的方法及其制造產品3CN70CN86100384氮化硅(gui)工程陶瓷(ci)燒結(jie)新工藝71CN86106840熱窯燒結(jie)設備與。
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[圖(tu)文]摘要(yao):摘要(yao):研究了(le)等離子(zi)增強化(hua)學氣相淀積(PECVD)工藝中射頻(pin)條件(功率和頻(pin)率)對氮(dan)(dan)化(hua)硅薄膜(mo)應力的影(ying)響。對于不同射頻(pin)條件下薄膜(mo)的測試結果表(biao)明(ming):低頻(pin)(LF)時氮(dan)(dan)化(hua)硅。
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氮(dan)化硅(gui)(gui)收(shou)集(ji)平臺,涉(she)及多晶硅(gui)(gui)生產設備(bei)領(ling)域,尤其是涉(she)及多晶硅(gui)(gui)生產中(zhong)氮(dan)化硅(gui)(gui)的收(shou)集(ji)臺,一(yi)種(zhong)移除氮(dan)化硅(gui)(gui)層(ceng)的方(fang)法(fa),此方(fang)法(fa)系首先(xian)提供一(yi)晶圓,其中(zhong)晶圓上已形成有一(yi)氮(dan)化硅(gui)(gui)層(ceng)。
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7-BG520氮化硅(gui)只讀存儲器的結構與制造方(fang)法(fa)8-BG520低(di)壓燃燒(shao)合成氮化硅(gui)或氮化硅(gui)鐵的方(fang)法(fa)及設備9-BG520利用原子層沉(chen)積法(fa)形成氮化硅(gui)間隙壁的方(fang)法(fa)10-BG520密封。
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[圖(tu)文]本文主要針對(dui)立式LPCVD氮化硅爐管的氮化硅制造工藝中(zhong)所遇到particle問(wen)題進行(xing)研究。通過大(da)量的對(dui)比性實驗(yan)進行(xing)排查與分(fen)析,并利(li)用各(ge)種先進的實驗(yan)的設備和(he)器材找到產生。
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第(di)四節主要(yao)生(sheng)產設備情況介紹(shao)第(di)四章2011-2013年(nian)中國碳化(hua)硅(gui)結(jie)合氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)磚(zhuan)市場(chang)圖(tu)(tu)表:碳化(hua)硅(gui)結(jie)合氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)磚(zhuan)理化(hua)性質一覽(lan)圖(tu)(tu)圖(tu)(tu)表:碳化(hua)硅(gui)結(jie)合氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)磚(zhuan)生(sheng)產工藝流程。
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河南(nan)科技(ji)大學畢業設(she)計(論文)I噴(pen)涂工(gong)藝(yi)對氮化硅涂層品質(zhi)的影響摘要(yao)鑄造因(yin)此(ci)容(rong)易在制造工(gong)藝(yi)中受石英(ying)、石墨、設(she)備以及管道等的沾污。坩堝的使(shi)用一方面提高。
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通過幾年(nian)不斷技術創新,工藝優化,積(ji)累(lei)了豐富的氮化合金生(sheng)產經驗。公司擁有三個生(sheng)產車間,十幾臺國內先進的氮化物(wu)產品(pin)生(sheng)產設備(bei),建(jian)立了完發(fa)聯系(xi)信合肥開爾(er)納米。
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本廠(chang)以(yi)“業(ye)潤社(she)會”為經營理(li)念,憑著國內的生(sheng)產(chan)設備,全體員工(gong)努力進取(qu),銳意采(cai)用先進的氣(qi)壓(ya)、熱等靜壓(ya)燒結工(gong)藝,批量生(sheng)產(chan)氮化(hua)(hua)硅(Si3N4)、氧化(hua)(hua)鋯(ZrO2)。
畢業設計(論文)-噴涂工藝對氮化硅涂層品質的影響-豆丁網
技術難題:1.生產氮化硅錳從(cong)技術上采用(yong)(yong)普(pu)通硅錳和(he)普(pu)通硅鐵作為原料,工(gong)藝(yi)上采用(yong)(yong)物料5.所(suo)用(yong)(yong)的臥式推板窯等加熱(re)設備利用(yong)(yong)電感應加熱(re)方式,在微正壓下工(gong)作,省去了真空。
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公(gong)司簡介北京金海虹氮化硅有限公(gong)司是高新技(ji)術企業,開(kai)發、生產高技(ji)術氮化硅結合先(xian)進的生產設備,獨(du)特(te)的生產工藝,完(wan)善(shan)的檢測(ce)手(shou)段,科學的管(guan)理(li)體系,2005年5月獲(huo)得。
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你可能要查找:陶瓷生產(chan)加工(gong)機械機械及(ji)行(xing)業設(she)備詳細(xi)信息產(chan)品規格:產(chan)品數(shu)量用這種現代先進工(gong)藝制成(cheng)的(de)特(te)種陶瓷產(chan)品具(ju)有(you)密度高且均(jun)勻,尺寸精度高等優點。氮化硅(gui)。
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北(bei)京金(jin)(jin)海虹(hong)氮化(hua)(hua)硅(gui)有(you)限(xian)公司(si)簡介北(bei)京金(jin)(jin)海虹(hong)氮化(hua)(hua)硅(gui)有(you)限(xian)公司(si)自主(zhu)研發、生(sheng)產高科(ke)技材料‘氮化(hua)(hua)硅(gui)結合碳化(hua)(hua)硅(gui)制品’,以獨特(te)的制造工藝于國(guo)內(nei)外(wai)同行業(ye)水平,為有(you)色金(jin)(jin)屬行業(ye)。
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高純氮化硅粉體(ti)(ti)(用(yong)于晶硅生產坩堝噴涂粉末(mo))使用(yong)方法發布日期:2011-11-01分離(li)設備物性(xing)測(ce)(ce)試儀器(qi)生命科學(xue)儀器(qi)實驗箱體(ti)(ti)/安全箱水質、水分檢測(ce)(ce)。
高性能氮化硅結構陶瓷-陶瓷生產加工機械|機械及行業設備–大豆
制(zhi)作燒結鋁(lv)礬土(tu)粉的(de)(de)設備《礬土(tu)技術分析鋁(lv)礬土(tu),均勻度(du),氮化(hua)硅,反應催化(hua)劑(ji),剛玉陶瓷,》43-BG192114一種變(bian)截面(mian)隧道(dao)窯煅(duan)燒高鋁(lv)礬土(tu)的(de)(de)方(fang)法44-BG192114礬土(tu)面(mian)礦脫水。
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,經(jing)過多年的研制、創新,研發(fa)出(chu)全新的陶瓷(ci)配方以(yi)及一體(ti)化(hua)高純氮化(hua)硅陶瓷(ci)生(sheng)產工藝。高純氮化(hua)硅陶瓷(ci)熱(re)(re)(re)面發(fa)熱(re)(re)(re)體(ti)燃氣設備用熱(re)(re)(re)面發(fa)熱(re)(re)(re)體(ti)高純氮化(hua)硅陶瓷(ci)電熱(re)(re)(re)塞(sai)柴油。
高純氮化硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂粉末)使用方法-阿凡達-全國
并提出(chu)了對比分(fen)析的(de)方法(fa),在(zai)通(tong)過(guo)專業設(she)備檢測的(de)基礎(chu)上對成品球(qiu)球(qiu)度(du)、表面粗糙(cao)度(du)研(yan)究(jiu)結果表明,氮化硅陶(tao)瓷球(qiu)能夠(gou)批量生產且球(qiu)度(du)達到0.062μm以(yi)下,表面粗糙(cao)度(du)達到。
制作燒結鋁礬土粉的設備-研發與制造
反應燒(shao)結工(gong)藝(yi)生產的氮化硅使用(yong)壽(shou)命很(hen)(hen)短(duan),材料存在很(hen)(hen)多氣孔,長期(qi)鋁液會滲入;抗熱震用(yong)于冶金(jin)、化工(gong)、紡(fang)織、印刷、包裝、食品(pin)機械、電爐設備、電力容器(qi)、變壓(ya)器(qi)等(deng)。
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氮(dan)化硅(gui)及(ji)其制(zhi)品生產工藝配方(fang)技術資料舉報此商(shang)(shang)品商(shang)(shang)品主圖收(shou)藏商(shang)(shang)品已有058302158760.4低(di)壓燃燒合成氮(dan)化硅(gui)或氮(dan)化硅(gui)鐵的方(fang)法(fa)及(ji)設備(bei)58402158676.4。
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種更可(ke)(ke)靠的半導體裝(zhuang)置和顯示(shi)裝(zhuang)置的高產量制造(zao)技術且未使用于制造(zao)的設備和方法作為在有(you)機化合物中所含的無機材料,可(ke)(ke)以使用氧化硅(gui)(gui)、氮(dan)化硅(gui)(gui)、氧氮(dan)化硅(gui)(gui)、氮(dan)。
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經營模式:生產廠家主營產品:氮(dan)化金屬粉末特種合(he)金焊條粉劑合(he)金粉工(gong)商公司運用自己的(de)科(ke)研成(cheng)果(guo),采(cai)用先進(jin)的(de)設備和工(gong)藝(yi)技術進(jin)行(xing)各類高(gao)純(chun)硅精細化加。