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25氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)粉末的(de)制造方法26氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)粉末的(de)制造方法及(ji)設備27氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)粉體α相(xiang)轉相(xiang)裝置28氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)工程陶瓷燒結新工藝29氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)和碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)一維納米(mi)結構及(ji)其制備方法。

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[圖文(wen)]摘(zhai)要:摘(zhai)要:研究了(le)等離子增強化(hua)學氣相淀積(PECVD)工(gong)藝中射(she)頻條件(jian)(功率和頻率)對氮化(hua)硅薄(bo)膜應力的影響(xiang)。對于不同射(she)頻條件(jian)下(xia)薄(bo)膜的測試結果表明:低(di)頻(LF)時氮化(hua)硅。

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[圖文]本文主(zhu)要(yao)針對(dui)立式LPCVD氮化(hua)硅爐(lu)管(guan)的氮化(hua)硅制造工藝中(zhong)所(suo)遇到particle問題進行研究。通過(guo)大(da)量的對(dui)比性(xing)實驗(yan)進行排查與分(fen)析,并(bing)利(li)用各(ge)種先(xian)進的實驗(yan)的設備和器材找到產生(sheng)。

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河(he)南(nan)科技大學畢業設(she)計(ji)(論文)I噴涂工藝對(dui)氮化硅(gui)涂層品(pin)質(zhi)的影(ying)響摘要鑄造(zao)因此容易在制造(zao)工藝中(zhong)受石(shi)(shi)英、石(shi)(shi)墨(mo)、設(she)備以及(ji)管道等的沾(zhan)污(wu)。坩(gan)堝的使用一方面提高。

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