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1.石(shi)英(ying)(ying)坩堝可(ke)在(zai)1450度(du)以下使用,分(fen)透明(ming)和不透明(ming)兩種。用電弧法(fa)制的半透明(ming)石(shi)英(ying)(ying)層(ceng)高純度(du)石(shi)英(ying)(ying)砂使其形成(cheng)致(zhi)密(mi)層(ceng),其致(zhi)密(mi)層(ceng)能阻止(zhi)單(dan)晶硅(gui)高溫拉制過程中(zhong)硅(gui)與石(shi)英(ying)(ying)坩堝。

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1.石(shi)英坩堝可在1450度以(yi)下使用(yong)(yong),分透(tou)明(ming)和不透(tou)明(ming)兩種。用(yong)(yong)電弧法制的(de)半透(tou)明(ming)石(shi)英當今,世界半導(dao)體工業發達國家(jia)已(yi)用(yong)(yong)此坩堝取代了小的(de)透(tou)明(ming)石(shi)英坩堝。他具有純度高。

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