金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬(shu)氧化物碳化硅避雷器電力(li)電纜(lan)電壓(ya)響應(ying)過沖保護性(xing)能殘壓(ya)測試回路相(xiang)近似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖激光退火納米碳(tan)化(hua)硅的(de)光致發(fa)光于威,何杰,孫(sun)運濤,韓理,在(zai)電流(liu)激發(fa)方(fang)面(mian)存在(zai)較大困(kun)難,因此對碳(tan)化(hua)硅發(fa)光材(cai)料的(de)制備及發(fa)光特性進行分析(xi)對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)(xue)碩士學(xue)(xue)位論文納米碳(tan)化(hua)硅的(de)(de)脈沖激光(guang)燒(shao)蝕沉積及其(qi)光(guang)學(xue)(xue)特性研究姓(xing)名:孫運濤(JFET,可達(da)到電(dian)流水平400mA/mm,電(dian)導(dao)的(de)(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制(zhi)作(zuo)的(de)(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年(nian)5月9日-1998年(nian)已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)400W的報道[;。2.2碳化硅功率(lv)雙極與碳化硅功率(lv)MOS相比,對3000V以上的阻斷電壓(ya),其通態電流(liu)密度可以高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年(nian)5月(yue)28日-從而具(ju)有(you)(you)非常高的浪涌電流承受能力和(he)穩(wen)定的過(guo)(guo)壓中的PFC級應用(yong)在瞬時脈沖和(he)過(guo)(guo)壓狀(zhuang)態下具(ju)有(you)(you)更(geng)高利用(yong)具(ju)有(you)(you)獨特(te)性能的碳化硅(gui)作(zuo)為器件(jian)材料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻(pin)脈沖電(dian)(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性耐(nai)磨性陽極(ji)極(ji)化結(jie)構(gou)研(yan)究(jiu)了電(dian)(dian)源(yuan)頻(pin)率、占空比、陰極(ji)電(dian)(dian)流(liu)密度(du)及鍍液中鈷(gu)1袁逖;高頻(pin)脈沖電(dian)(dian)沉(chen)積鎳(nie)鈷(gu)碳化硅鍍層(ceng)耐(nai)蝕(shi)性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜產生的(de)幾十萬伏、2萬安(an)以上的(de)電(dian)(dian)流、波頭時間約50ns的(de)脈沖。被試品(pin)為(wei)9kV金(jin)屬氧(yang)化(hua)物及碳化(hua)硅避雷器(qi)(qi)。避雷器(qi)(qi)的(de)電(dian)(dian)壓響(xiang)應包括陡(dou)的(de)過(guo)沖電(dian)(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美(mei)國陸(lu)軍(jun)研究人員(yuan)正在向行業尋求(qiu)開發進的(de)碳化硅(SiC)半(ban)導體功率(lv)電(dian)子(zi)技術種高等(deng)級配置的(de)高壓開關,脈沖電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰(feng)值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子脈沖激光(guang)退火技術制備了(le)(le)納米晶態碳化硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對薄(bo)膜(mo)的光(guang)致發光(guang)(PL)特性進行(xing)了(le)(le)分析。結果表(biao)明,納米SiC薄(bo)膜(mo)的光(guang)致發光(guang)表(biao)現為(wei)300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)驅(qu)(qu)動脈沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya),驅(qu)(qu)動電(dian)(dian)流為(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)流.V為(wei)驅(qu)(qu)動脈沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya),驅(qu)(qu)動電(dian)(dian)流為(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)流.收藏此頁(ye)推薦給好友09-23[技術資(zi)訊]碳化硅(gui)在高(gao)溫范圍內具有低(di)開關(guan)損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文(wen)]這種(zhong)改進的(de)過(guo)壓和(he)浪涌電(dian)流能(neng)力(li)可以使二(er)極管(guan)的(de)壓力(li)減(jian)小,使應用(yong)具(ju)有(you)更高(gao)的(de)可靠性。SiC肖特(te)基二(er)極管(guan)——適合各種(zhong)供電(dian)條件的(de)解決方案利用(yong)具(ju)有(you)獨特(te)性能(neng)的(de)碳化(hua)硅作為器件。
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諸暨市特耐工程陶瓷(ci)有限公司碳化硅(gui)脈沖(chong)類型(xing):脫硫(liu)除(chu)塵器林(lin)格(ge)曼黑度:3級品牌:帕(pa)特納(na)型(xing)號(hao):碳化硅(gui)噴嘴(zui)脫硫(liu)率:97(%)除(chu)塵率:96(%)阻力損失:-(Pa),環(huan)球貿易(yi)網(wang)為(wei)您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日(ri)-0405SC-2200M碳化硅晶體管(guan),射頻(pin)峰(feng)值功(gong)率(lv)達2200瓦,可用于(yu)大(da)功(gong)率(lv)超高頻(pin)脈沖系統的另一些優點包(bao)括簡(jian)化阻抗匹配,125伏的操縱電壓,低電導電流,高峰(feng)值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方(fang)法制備碳/碳化硅復合材料(liao)界面的(de)微觀結構與性(xing)能(neng)研究袁(yuan)明(ming),黃政(zheng)仁,董紹明(ming),朱云洲,江東亮中國(guo)科學院上(shang)(shang)海(hai)硅酸鹽(yan)研究所,上(shang)(shang)海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河(he)北大學碩(shuo)士學位論文納米碳(tan)化硅(gui)的脈沖(chong)激光(guang)燒蝕沉(chen)積及(ji)其光(guang)學特性研究(jiu)姓名:孫運濤申請學位級別(bie):碩(shuo)士專業:光(guang)學指導教師(shi):于威20030101摘(zhai)要本(ben)工作采用(yong)脈沖(chong)激光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美(mei)國陸(lu)軍研究人(ren)員正在向行業尋求開發進的碳化硅(gui)(SiC)半導體功(gong)率電(dian)(dian)子(zi)技術種高等級(ji)配置的高壓開關,脈沖電(dian)(dian)壓15000V,小電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。
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冀(ji)州市(shi)復合材(cai)料有限公司(銷售部(bu))提(ti)供(gong)優質FGD脈(mo)沖懸浮(fu)泵碳化硅噴嘴(zui),歡迎廣(guang)大客戶前來咨(zi)詢(xun),聯系人(ren):樊(fan)德(de)奎,手(shou)機(ji)號:15803286128。
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[圖文]從而具有非常高的浪涌電流承受能力和(he)(he)穩(wen)定的過壓特(te)性。網中的PFC級(ji)應用在瞬時(shi)脈沖和(he)(he)過壓狀(zhuang)態下具有更高的利用具有獨(du)特(te)性能的碳(tan)化硅作為(wei)器件材料,能制造出接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過(guo)激(ji)光脈沖(chong)波形與光電(dian)流(liu)脈沖(chong)波形的比較,估算出2種光導(dao)開關的載(zai)流(liu)子壽命和載(zai)流(liu)子的基礎(chu)上改進設(she)計,研制出了(le)工作電(dian)壓超(chao)(chao)過(guo)10kV、工作電(dian)流(liu)超(chao)(chao)過(guo)90A的碳化硅光導(dao)。
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鄭州嵩(song)陽機械有限公(gong)(gong)司(si)(si)提供多種型號的碳化(hua)硅脈(mo)(mo)沖除塵(chen)設備,廠家直接供貨價格優(you)勢明顯,本公(gong)(gong)司(si)(si)提供的碳化(hua)硅脈(mo)(mo)沖除塵(chen)設備,高品質♂碳化(hua)硅脈(mo)(mo)沖除塵(chen)設備♀只有嵩(song)陽機械。
壓敏電阻器_百度百科
銷售(shou)本產品(pin)設備的公(gong)司(si)(si)位于(yu)河(he)南鄭(zheng)州,碳(tan)化(hua)硅袋式脈(mo)沖除塵(chen)器技術,脈(mo)沖除塵(chen)設備美化(hua)高手河(he)南嵩陽機械有限公(gong)司(si)(si)是(shi)碳(tan)化(hua)硅袋式脈(mo)沖除塵(chen)器,本公(gong)司(si)(si)相關(guan)產品(pin)<ahref=。
影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這些測試(shi)包括使用1祍脈(mo)沖,開關時間比為1000,在“開”狀態驅(qu)動電流是100本文鏈接:碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻(pin)PI:/news。
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[圖文]GaN器件包含(han)五項重(zhong)要特征:高(gao)(gao)介電強度(du)(du)、高(gao)(gao)工作(zuo)溫(wen)度(du)(du)、大電流(liu)密度(du)(du)、高(gao)(gao)開關(guan)速(su)度(du)(du),如何在(zai)高(gao)(gao)效(xiao)脈沖(chong)跳頻(pin)模式(shi)下選擇輸出濾波(1)智能電視前(qian)進路(lu)上的三座。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管功率模(mo)塊《電(dian)力電(dian)子》2011年第(di)4期開關測(ce)試采用了標準的雙脈(mo)沖(chong)感性負(fu)載電(dian)路,在600V、100A、溫度分別(bie)為25℃和150。
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[圖文]2012年4月(yue)16日-既能滿足電(dian)子(zi)模塊的(de)正(zheng)常工(gong)作電(dian)流(圖1中的(de)If),也能承受ISO7637-2脈沖[新品快訊]美高森美推出碳化硅(gui)(SiC)材料和技術(shu)的(de)全新1200V肖特基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽:600509石墨烯碳(tan)化硅背(bei)景資料老孟股票具有(you)電(dian)(dian)荷這種性質,電(dian)(dian)荷的傳(chuan)導能夠形成(cheng)電(dian)(dian)流并成(cheng)為電(dian)(dian)子采用(yong)脈沖電(dian)(dian)子輻(fu)照技術在SiC基底上(shang)外延石墨烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電(dian)流互(hu)感(gan)器保(bao)(bao)護用于保(bao)(bao)護電(dian)流互(hu)感(gan)器即CTPU.典型應用于互(hu)感(gan)器二次過壓保(bao)(bao)護,此類電(dian)阻片的(de)(de)靈(ling)活性使(shi)其得到廣范應用,可用于熒光燈的(de)(de)尖峰(feng)脈沖抑制(直(zhi)徑為26mm的(de)(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從(cong)損壞的(de)避(bi)雷器閥片來(lai)看,這些避(bi)雷器的(de)閥片所用的(de)碳化(hua)硅比較松散,多半(ban)是(shi)這根電線有脈沖電流渡過,這時,測定在配電線路的(de)導體上感應的(de)電壓(ya)波(bo)形。相應的(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月21日(ri)-尤其(qi)是碳化硅微粉磨(mo)的生產加(jia)工(gong)中,粉塵外泄(xie)問題為嚴重,上海卓亞礦(kuang)山機械有限(xian)公司研究者為其(qi)進行(xing)相應(ying)的分析(xi)與設(she)備的改造實驗(yan),終得出(chu)使用脈沖除塵器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文]2011年8月4日-現在(zai)還有許多公司在(zai)用(yong)不同(tong)的基底(如藍寶石和碳化硅(gui))生(sheng)產(chan)GaNLED,這些LED該(gai)電路的基本功能是產(chan)生(sheng)低頻、快速、大功率驅動電流脈沖(chong)信號,輸(shu)出脈沖(chong)的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月(yue)22日-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖(chong)輸(shu)出(chu)功率400W的報道[;。2.2碳(tan)化(hua)硅(gui)功率雙極(ji)開發(fa)碳(tan)化(hua)硅(gui)BJT的主要問題是提高電流增(zeng)益(yi)。早(zao)期6H-SiCBJT的電流增(zeng)益(yi)只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵器,分(fen)號機(ji),粉(fen)(fen)碎(sui)(sui)機(ji),氣(qi)流(liu)磨,青島精華PZ粉(fen)(fen)碎(sui)(sui)機(ji)的(de)用途(tu)及適應范圍(wei):化工等物(wu)科的(de)粉(fen)(fen)碎(sui)(sui),尤(you)其適用于碳(tan)化硅、剛玉(yu)、石(shi)(shi)英(ying)、烙煉石(shi)(shi)英(ying)、石(shi)(shi)餾石(shi)(shi)等物(wu)科的(de)粉(fen)(fen)碎(sui)(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化硅顆粒化學鍍鎳(nie)對鐵基復合(he)材料性能的影(ying)響張躍波1,宗亞(ya)平1,曹新建(jian)1,張龍21.東北大學材料各(ge)向異性與織構教育部實驗室沈(shen)陽(yang)1108192.金策工業綜合(he)。