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金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷

金屬氧(yang)化物(wu)碳(tan)化硅避雷(lei)器電力電纜電壓(ya)(ya)響應過沖保護性能殘壓(ya)(ya)測試回路相近似電流脈沖。

脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網

2005脈(mo)沖激光退火納米碳化硅的(de)光致發(fa)光于威,何杰,孫運濤(tao),韓理,在電流激發(fa)方面存在較大(da)困難(nan),因此(ci)對碳化硅發(fa)光材料的(de)制備及發(fa)光特性(xing)進行分析對。

脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫

河(he)北大學碩士學位論文納米碳化硅的(de)脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研(yan)究姓名:孫運濤(tao)(JFET,可達到電流水平400mA/mm,電導(dao)的(de)指標lOOmS/mm)以(yi)及用6H—SiC制作的(de)金屬。

納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道

2008年(nian)5月(yue)9日-1998年(nian)已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)400W的報道[;。2.2碳(tan)化硅功率(lv)雙極與碳(tan)化硅功率(lv)MOS相比(bi),對3000V以(yi)上的阻(zu)斷電壓,其通態(tai)電流(liu)密度可(ke)以(yi)高(gao)出幾個。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

[圖文(wen)]2007年5月28日-從而(er)具有非常高(gao)的(de)(de)浪涌電流承受能(neng)力和(he)穩定的(de)(de)過壓(ya)中(zhong)的(de)(de)PFC級應用(yong)在(zai)瞬時脈沖和(he)過壓(ya)狀態下(xia)具有更高(gao)利用(yong)具有獨特性能(neng)的(de)(de)碳化硅作為器件材料,能(neng)制造出。

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高頻脈沖電(dian)(dian)(dian)鍍Ni-Co-SiC耐蝕性(xing)耐磨(mo)(mo)性(xing)陽極極化(hua)結構研究(jiu)了電(dian)(dian)(dian)源頻率、占(zhan)空比、陰極電(dian)(dian)(dian)流(liu)密(mi)度及鍍液中鈷1袁(yuan)逖;高頻脈沖電(dian)(dian)(dian)沉積(ji)鎳(nie)鈷碳化(hua)硅(gui)鍍層耐蝕性(xing)耐磨(mo)(mo)。

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正采用(yong)60m長(chang)的(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜產(chan)生的(de)幾(ji)十萬伏、2萬安(an)以上的(de)電(dian)(dian)流、波頭時(shi)間約50ns的(de)脈沖(chong)。被(bei)試(shi)品為9kV金屬氧化物及碳(tan)化硅(gui)避雷器。避雷器的(de)電(dian)(dian)壓響應包括(kuo)陡的(de)過沖(chong)電(dian)(dian)壓。

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2013年1月30日-美國陸(lu)軍研究人員正在向(xiang)行業尋求開(kai)發進(jin)的(de)碳(tan)化硅(SiC)半導體功率電子技術種高等級(ji)配(pei)置的(de)高壓(ya)開(kai)關,脈沖(chong)電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。

美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網

采(cai)用XeCl準分(fen)子(zi)脈(mo)沖激(ji)光退火技術(shu)制備了納(na)米晶(jing)態碳(tan)化硅(gui)薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對(dui)薄(bo)膜(mo)的光致發光(PL)特性進行了分(fen)析。結果表明,納(na)米SiC薄(bo)膜(mo)的光致發光表現為300-600nm.范圍(wei)。

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[圖文(wen)]V為(wei)驅動(dong)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)(dian)壓,驅動(dong)電(dian)(dian)(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)(dian)流(liu).V為(wei)驅動(dong)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)(dian)壓,驅動(dong)電(dian)(dian)(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)(dian)流(liu).收藏(zang)此頁推薦(jian)給好友09-23[技術(shu)資訊]碳化硅在高溫范圍(wei)內具有低開(kai)關損耗的MOSFE。

紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網

[圖(tu)文]這種改進的(de)過(guo)壓(ya)和浪涌電流(liu)能力(li)可(ke)以使(shi)二(er)極管的(de)壓(ya)力(li)減(jian)小,使(shi)應用(yong)具有(you)更(geng)高的(de)可(ke)靠性(xing)。SiC肖特基二(er)極管——適合各種供電條件的(de)解決方案利(li)用(yong)具有(you)獨特性(xing)能的(de)碳化(hua)硅作為器件。

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2010年8月17日-0405SC-2200M碳(tan)化硅晶體管,射頻(pin)峰值功(gong)(gong)率(lv)達2200瓦(wa),可用于大功(gong)(gong)率(lv)超高(gao)頻(pin)脈沖(chong)系統(tong)的另(ling)一些優點包括簡化阻(zu)抗匹配,125伏的操縱電(dian)(dian)壓,低電(dian)(dian)導電(dian)(dian)流,高(gao)峰值。

碳化硅脈沖

溫度脈(mo)沖方(fang)法(fa)制備(bei)碳/碳化硅復(fu)合材料(liao)界面的微觀(guan)結(jie)構(gou)與性能研究袁明,黃政仁,董紹明,朱云洲(zhou),江東(dong)亮(liang)中國(guo)科(ke)學院上海硅酸鹽研究所,上海200050。

Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器

河北大學(xue)(xue)(xue)碩士(shi)學(xue)(xue)(xue)位論文納米碳化硅的脈(mo)沖(chong)激光燒(shao)蝕沉積(ji)及其光學(xue)(xue)(xue)特性研究姓名:孫(sun)運濤申請學(xue)(xue)(xue)位級別:碩士(shi)專業:光學(xue)(xue)(xue)指導教(jiao)師:于威20030101摘要本(ben)工作采用脈(mo)沖(chong)激光。

溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究

2013年(nian)1月30日(ri)-美國陸軍(jun)研究人(ren)員正在(zai)向行業尋(xun)求開發進的(de)碳(tan)化硅(SiC)半導體功率(lv)電子技(ji)術種高等級配置(zhi)的(de)高壓(ya)開關,脈沖(chong)電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。

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[圖文]從而具(ju)有非(fei)常高的(de)(de)浪涌(yong)電流承受能(neng)(neng)力和(he)穩定的(de)(de)過(guo)壓特(te)性。網中的(de)(de)PFC級應用(yong)在(zai)瞬時脈沖和(he)過(guo)壓狀態下(xia)具(ju)有更高的(de)(de)利用(yong)具(ju)有獨特(te)性能(neng)(neng)的(de)(de)碳化硅(gui)作為器件材料,能(neng)(neng)制造出接近。

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通過激光(guang)(guang)脈沖(chong)波形與光(guang)(guang)電流脈沖(chong)波形的比較,估算出2種(zhong)光(guang)(guang)導開關的載流子(zi)壽命(ming)和載流子(zi)的基礎上改進設計,研(yan)制出了(le)工(gong)作電壓超(chao)過10kV、工(gong)作電流超(chao)過90A的碳化硅光(guang)(guang)導。

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2008年9月26日-這些測(ce)試包(bao)括(kuo)使(shi)用1祍脈沖(chong),開關時間比(bi)為(wei)1000,在“開”狀(zhuang)態驅動(dong)電流是100本文(wen)鏈接:碳化(hua)硅電子:全球協(xie)會提(ti)倡SiC高頻PI:/news。

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[圖文]GaN器件包含五項重要(yao)特征:高(gao)介電強(qiang)度(du)、高(gao)工作(zuo)溫(wen)度(du)、大電流密度(du)、高(gao)開(kai)關速度(du),如何在高(gao)效脈沖(chong)跳頻模式(shi)下(xia)選擇輸(shu)出(chu)濾波(1)智(zhi)能電視前進路上的三座(zuo)。

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1200V增強型碳化(hua)硅縱向結型場效(xiao)應(ying)晶(jing)體管功率(lv)模塊《電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子》2011年第(di)4期開關測試采用了標(biao)準的雙脈沖感性負載(zai)電(dian)(dian)路,在600V、100A、溫度分別為25℃和150。

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[圖文(wen)]2012年(nian)4月16日-既(ji)能滿足電子模塊(kuai)的(de)(de)正(zheng)常工作電流(liu)(圖1中的(de)(de)If),也(ye)能承受ISO7637-2脈沖(chong)[新品快訊]美高森美推出(chu)碳化硅(SiC)材料和技術的(de)(de)全新1200V肖特基二極管(guan)。

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[圖文(wen)]標簽:600509石墨(mo)烯碳化硅背(bei)景資料老(lao)孟股票具有電荷(he)這種性(xing)質,電荷(he)的傳導(dao)能(neng)夠形成(cheng)電流(liu)并成(cheng)為電子采用(yong)脈沖電子輻照技(ji)術在(zai)SiC基底上(shang)外延石墨(mo)烯是我們。

綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽

二(er):電流互感器保護(hu)用(yong)于保護(hu)電流互感器即CTPU.典型(xing)應用(yong)于互感器二(er)次過壓保護(hu),此類電阻片(pian)的靈活(huo)性(xing)使其得到廣范應用(yong),可用(yong)于熒光燈的尖峰脈沖抑制(zhi)(直徑為26mm的。

ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網

(3)從(cong)損壞的避雷器閥片來看,這(zhe)些避雷器的閥片所(suo)用的碳化硅比較松散,多(duo)半是這(zhe)根電線(xian)有脈(mo)沖電流渡過,這(zhe)時,測定(ding)在配電線(xian)路(lu)的導體上感應(ying)的電壓(ya)波(bo)形。相應(ying)的。

600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客

2013年8月21日(ri)-尤(you)其是碳化(hua)硅微粉磨的生產加工中,粉塵外泄問(wen)題為嚴重(zhong),上海(hai)卓亞礦山機械有限公司(si)研究(jiu)者為其進行相(xiang)應(ying)的分析與設備的改造實驗,終得出使用(yong)脈(mo)沖除塵器的。

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[圖(tu)文]2011年8月4日-現(xian)在(zai)還有(you)許多(duo)公司在(zai)用不(bu)同的基底(如藍寶(bao)石和碳(tan)化硅)生產GaNLED,這些LED該(gai)電路的基本功能是產生低頻、快速、大功率(lv)驅動(dong)電流脈沖信號,輸出脈沖的。

什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答

2013年7月22日-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖(chong)輸出功率400W的(de)報道[;。2.2碳化硅功率雙(shuang)極開發碳化硅BJT的(de)主要問(wen)題是(shi)提高電流(liu)增益(yi)。早期(qi)6H-SiCBJT的(de)電流(liu)增益(yi)只有10。

碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好

脈沖袋(dai)式除(chu)塵器(qi),分號機(ji),粉碎(sui)機(ji),氣流磨,青島精華PZ粉碎(sui)機(ji)的(de)用途及適(shi)(shi)應范圍:化(hua)工等物(wu)科的(de)粉碎(sui),尤其適(shi)(shi)用于碳(tan)化(hua)硅、剛玉、石(shi)英、烙煉石(shi)英、石(shi)餾(liu)石(shi)等物(wu)科的(de)粉碎(sui)。

詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊

碳化硅顆粒化學鍍鎳對鐵基復合材料(liao)性(xing)(xing)能的影響張躍波1,宗亞平(ping)1,曹新建1,張龍21.東北大學材料(liao)各向異性(xing)(xing)與織構教育部實(shi)驗室沈陽(yang)1108192.金策(ce)工(gong)業綜(zong)合。

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碳化硅微粉專用分級機-

供應碳化硅整形機,氣流粉碎機,脈沖除塵器-其他-中國應用技術網

碳化硅顆粒化學鍍鎳對鐵基復合材料性能的影響