金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化(hua)物(wu)碳化(hua)硅避雷器電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓響應過沖保護(hu)性(xing)能殘壓測試回路相(xiang)近似電(dian)流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈(mo)沖激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)退火納(na)米碳(tan)化(hua)硅的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)于威,何杰,孫運濤,韓理,在(zai)電(dian)流激(ji)發(fa)方面(mian)存(cun)在(zai)較大困難,因此對碳(tan)化(hua)硅發(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)材料的(de)(de)制備及發(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)特(te)性進行(xing)分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳(tan)化硅的(de)脈沖激光(guang)(guang)燒蝕沉積及其光(guang)(guang)學(xue)特性研究(jiu)姓(xing)名:孫(sun)運濤(tao)(JFET,可達(da)到電(dian)流水平(ping)400mA/mm,電(dian)導的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有(you)頻率1.3GHz,脈沖輸出功(gong)率400W的報道[;。2.2碳化硅功(gong)率雙(shuang)極與碳化硅功(gong)率MOS相比,對3000V以(yi)(yi)上的阻斷(duan)電壓(ya),其通態(tai)電流密度可以(yi)(yi)高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖(tu)文]2007年5月28日-從而具有非常高的浪涌電流承受能力(li)和穩定的過(guo)壓中的PFC級應(ying)用在瞬時脈沖和過(guo)壓狀態下具有更高利用具有獨(du)特性能的碳化硅作為(wei)器件材(cai)料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖電(dian)(dian)鍍Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性(xing)耐磨性(xing)陽極(ji)極(ji)化結構研究了(le)電(dian)(dian)源頻率、占空比(bi)、陰極(ji)電(dian)(dian)流密(mi)度及鍍液中鈷1袁逖;高頻脈沖電(dian)(dian)沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕(shi)性(xing)耐磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜產生的幾十萬伏、2萬安以(yi)上的電(dian)(dian)流、波頭時間(jian)約50ns的脈沖(chong)。被試品為9kV金屬氧化物(wu)及碳(tan)化硅避(bi)雷器。避(bi)雷器的電(dian)(dian)壓(ya)(ya)響(xiang)應包括(kuo)陡的過沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美(mei)國(guo)陸軍研(yan)究人員正在向行業尋求開(kai)(kai)發進的(de)碳化硅(SiC)半導體(ti)功率電(dian)子技術種高等級(ji)配置(zhi)的(de)高壓開(kai)(kai)關,脈沖(chong)電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰(feng)值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子(zi)脈沖激(ji)光退火技術制備了(le)納米晶態碳化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并對薄膜(mo)的光致(zhi)發光(PL)特性進(jin)行(xing)了(le)分析。結(jie)果表明(ming),納米SiC薄膜(mo)的光致(zhi)發光表現為(wei)300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖(tu)文]V為驅(qu)動(dong)(dong)(dong)脈(mo)(mo)沖電壓,驅(qu)動(dong)(dong)(dong)電流為脈(mo)(mo)沖電流.V為驅(qu)動(dong)(dong)(dong)脈(mo)(mo)沖電壓,驅(qu)動(dong)(dong)(dong)電流為脈(mo)(mo)沖電流.收藏此頁推薦給好友09-23[技術資訊]碳化(hua)硅(gui)在高(gao)溫范圍內具(ju)有低開(kai)關損耗(hao)的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文(wen)]這(zhe)種(zhong)改進的(de)(de)過壓(ya)和浪(lang)涌電(dian)流能力可以使(shi)二(er)極(ji)管(guan)的(de)(de)壓(ya)力減小,使(shi)應用(yong)具有(you)更高的(de)(de)可靠性。SiC肖特基二(er)極(ji)管(guan)——適合各種(zhong)供(gong)電(dian)條件(jian)的(de)(de)解(jie)決方案(an)利用(yong)具有(you)獨特性能的(de)(de)碳化硅(gui)作(zuo)為器件(jian)。
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論(lun)文天(tian)下提供(gong)的<高頻脈(mo)沖電沉(chen)積(ji)鎳鈷碳化(hua)硅鍍(du)層耐(nai)(nai)蝕性(xing)(xing)耐(nai)(nai)磨性(xing)(xing)的研究;論(lun)文包括高頻脈(mo)沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕性(xing)(xing)耐(nai)(nai)磨性(xing)(xing)陽(yang)極極化(hua)結構等其他相關內容論(lun)文。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-收費碩士博士
諸(zhu)暨市特耐工(gong)程陶瓷有限公司(si)碳(tan)(tan)化(hua)硅脈沖類型(xing):脫(tuo)(tuo)硫除塵器林(lin)格曼黑度:3級品(pin)牌(pai):帕(pa)特納(na)型(xing)號:碳(tan)(tan)化(hua)硅噴嘴脫(tuo)(tuo)硫率:97(%)除塵率:96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易網(wang)為您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體管,射頻峰值功率(lv)達2200瓦,可用(yong)于(yu)大功率(lv)超高頻脈沖系統(tong)的(de)另一些優(you)點包括簡化阻抗匹配,125伏的(de)操縱(zong)電(dian)壓,低電(dian)導(dao)電(dian)流,高峰值。
碳化硅脈沖
溫度(du)脈沖方法制備碳(tan)/碳(tan)化硅復合材料界面的微觀結構與性(xing)能研究袁明,黃政仁,董紹(shao)明,朱(zhu)云洲,江東(dong)亮中國科學院上(shang)(shang)海硅酸鹽(yan)研究所(suo),上(shang)(shang)海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩士學(xue)位(wei)論(lun)文納(na)米碳化(hua)硅的(de)脈(mo)沖(chong)激光燒(shao)蝕沉積及(ji)其光學(xue)特性(xing)研(yan)究姓(xing)名:孫運濤(tao)申請學(xue)位(wei)級別:碩士專業:光學(xue)指導(dao)教師:于威20030101摘要本(ben)工作采用脈(mo)沖(chong)激光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國(guo)陸軍研(yan)究人(ren)員正在向行業尋求(qiu)開發進的碳(tan)化硅(SiC)半(ban)導體功率電(dian)子技術種(zhong)高等級配置的高壓(ya)(ya)開關(guan),脈(mo)沖電(dian)壓(ya)(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)(ya)10000V,電(dian)流峰(feng)值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
冀州市(shi)復合材料有限公(gong)司(銷售部)提供優質FGD脈沖懸浮泵碳化硅(gui)噴嘴,歡(huan)迎廣大客(ke)戶前來咨詢,聯(lian)系人:樊德奎(kui),手(shou)機號:15803286128。
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[圖文]從(cong)而具有(you)非(fei)常高(gao)的浪涌電流(liu)承受能力和(he)穩定的過壓特性(xing)。網(wang)中(zhong)的PFC級應用在瞬(shun)時(shi)脈沖和(he)過壓狀態下具有(you)更高(gao)的利用具有(you)獨(du)特性(xing)能的碳化硅(gui)作為(wei)器件材料,能制造(zao)出(chu)接近(jin)。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過激光脈沖(chong)波(bo)形(xing)(xing)與光電流(liu)脈沖(chong)波(bo)形(xing)(xing)的比較,估算出(chu)2種光導開關的載流(liu)子(zi)(zi)壽命和(he)載流(liu)子(zi)(zi)的基礎上改進設計,研(yan)制(zhi)出(chu)了(le)工作電壓超過10kV、工作電流(liu)超過90A的碳化硅光導。
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鄭州嵩(song)陽(yang)(yang)機械有(you)限公(gong)司(si)提(ti)供多種型(xing)號的碳化(hua)硅(gui)脈(mo)沖(chong)除塵設備,廠家直接供貨(huo)價格優勢明(ming)顯,本公(gong)司(si)提(ti)供的碳化(hua)硅(gui)脈(mo)沖(chong)除塵設備,高(gao)品(pin)質♂碳化(hua)硅(gui)脈(mo)沖(chong)除塵設備♀只(zhi)有(you)嵩(song)陽(yang)(yang)機械。
壓敏電阻器_百度百科
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這些測試包括使(shi)用1祍脈沖,開(kai)關時間比為1000,在(zai)“開(kai)”狀態(tai)驅動電流是100本(ben)文鏈接:碳(tan)化硅電子:全球協會提倡(chang)SiC高(gao)頻PI:/news。
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[圖文]GaN器(qi)件(jian)包(bao)含五(wu)項(xiang)重要特征:高介電(dian)強度、高工作溫度、大電(dian)流密(mi)度、高開(kai)關速度,如何在高效脈沖跳頻模式下(xia)選擇輸出(chu)濾波(bo)(1)智能電(dian)視前(qian)進路(lu)上的(de)三(san)座。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效(xiao)應晶(jing)體(ti)管功率模塊《電力電子》2011年第(di)4期(qi)開關測試采用了(le)標準的雙脈沖感(gan)性負載電路,在600V、100A、溫度分別為25℃和150。
碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PIN二極管-產業縱橫-行業資訊-
阿里巴(ba)巴(ba)大量供(gong)應(ying)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)超細(xi)(xi)磨(mo)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)專用(yong)磨(mo)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)微粉磨(mo)脈沖除塵器-金屬硅(gui)磨(mo)粉,,這(zhe)里云集(ji)了眾多的供(gong)應(ying)商(shang),采購商(shang),制造商(shang)。這(zhe)里大量供(gong)應(ying)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)超細(xi)(xi)磨(mo)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)專用(yong)磨(mo)。
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[圖文]2012年4月(yue)16日-既能滿足(zu)電子模塊(kuai)的正常工(gong)作電流(圖1中的If),也能承(cheng)受ISO7637-2脈(mo)沖[新(xin)(xin)品快訊]美高森美推出碳化硅(gui)(SiC)材料和技(ji)術的全(quan)新(xin)(xin)1200V肖特基二(er)極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽:600509石(shi)墨烯(xi)碳(tan)化硅背景資料老孟股票具有電(dian)(dian)荷這種(zhong)性質,電(dian)(dian)荷的傳導能夠形成(cheng)電(dian)(dian)流并成(cheng)為(wei)電(dian)(dian)子(zi)(zi)采用脈沖電(dian)(dian)子(zi)(zi)輻照技術(shu)在SiC基(ji)底上外延石(shi)墨烯(xi)是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電(dian)(dian)流互感(gan)(gan)器(qi)保(bao)護用(yong)于(yu)保(bao)護電(dian)(dian)流互感(gan)(gan)器(qi)即CTPU.典型應用(yong)于(yu)互感(gan)(gan)器(qi)二次過壓保(bao)護,此類電(dian)(dian)阻片的靈(ling)活性使其(qi)得到(dao)廣范應用(yong),可用(yong)于(yu)熒光燈的尖(jian)峰脈沖抑制(直徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)(de)避(bi)雷器(qi)閥片(pian)來看,這些(xie)避(bi)雷器(qi)的(de)(de)閥片(pian)所用的(de)(de)碳(tan)化硅比較松散,多半是(shi)這根電(dian)線有脈沖電(dian)流渡(du)過,這時,測定(ding)在(zai)配電(dian)線路的(de)(de)導體上感應的(de)(de)電(dian)壓波形。相應的(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月21日(ri)-尤其(qi)是碳(tan)化硅微粉(fen)磨的(de)(de)生產加(jia)工中,粉(fen)塵外泄問題為(wei)嚴重,上海(hai)卓(zhuo)亞礦山機械有限(xian)公(gong)司研(yan)究者為(wei)其(qi)進(jin)行相應的(de)(de)分析與設(she)備的(de)(de)改造實驗(yan),終得出使用脈沖(chong)除塵器(qi)的(de)(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文]2011年8月(yue)4日-現在還有許多公司在用不同的(de)(de)基底(如藍寶(bao)石和碳(tan)化硅)生產(chan)GaNLED,這些LED該電(dian)路(lu)的(de)(de)基本(ben)功(gong)能是產(chan)生低頻(pin)、快(kuai)速(su)、大功(gong)率(lv)驅動電(dian)流(liu)脈沖信號,輸出(chu)脈沖的(de)(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)400W的報道(dao)[;。2.2碳化硅功率(lv)雙(shuang)極開發(fa)碳化硅BJT的主要問(wen)題是提高電流增益。早(zao)期6H-SiCBJT的電流增益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖(chong)袋式(shi)除塵器,分號(hao)機(ji)(ji),粉(fen)碎機(ji)(ji),氣流磨,青(qing)島精(jing)華PZ粉(fen)碎機(ji)(ji)的用途及適(shi)應(ying)范圍:化(hua)工等(deng)物(wu)科(ke)的粉(fen)碎,尤(you)其(qi)適(shi)用于碳(tan)化(hua)硅、剛玉、石(shi)英、烙煉石(shi)英、石(shi)餾(liu)石(shi)等(deng)物(wu)科(ke)的粉(fen)碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化(hua)硅(gui)顆粒化(hua)學(xue)鍍鎳對鐵基復合材料(liao)性能的(de)影(ying)響張(zhang)躍波1,宗亞平1,曹新建(jian)1,張(zhang)龍21.東(dong)北大學(xue)材料(liao)各(ge)向異性與織構教(jiao)育(yu)部實驗(yan)室沈陽1108192.金(jin)策工業綜合。