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金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷

金屬(shu)氧化(hua)物碳化(hua)硅避(bi)雷器電(dian)力電(dian)纜(lan)電(dian)壓響應過沖保護(hu)性能殘壓測試回路相近(jin)似電(dian)流脈沖。

脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網

2005脈(mo)沖激光(guang)退火納(na)米碳化(hua)硅的(de)光(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)于威,何杰(jie),孫(sun)運(yun)濤,韓理(li),在(zai)電流激發(fa)方面(mian)存在(zai)較大困難,因此對(dui)碳化(hua)硅發(fa)光(guang)材(cai)料的(de)制備及發(fa)光(guang)特性(xing)進行(xing)分(fen)析對(dui)。

脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫

河北大(da)學碩士學位論(lun)文(wen)納米(mi)碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積(ji)及其(qi)光學特性研(yan)究姓名:孫運(yun)濤(JFET,可達到(dao)電流(liu)水平400mA/mm,電導的指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的金(jin)屬。

納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道

2008年5月9日-1998年已有(you)頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功(gong)率(lv)400W的報道[;。2.2碳化硅功(gong)率(lv)雙(shuang)極與碳化硅功(gong)率(lv)MOS相(xiang)比(bi),對3000V以上的阻斷電壓(ya),其通態(tai)電流密度可以高出幾個。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

[圖文]2007年5月28日(ri)-從(cong)而(er)具(ju)(ju)有非常高(gao)的(de)浪(lang)涌電(dian)流(liu)承受能力和穩定的(de)過壓中的(de)PFC級應(ying)用(yong)在瞬(shun)時脈沖和過壓狀態下具(ju)(ju)有更(geng)高(gao)利用(yong)具(ju)(ju)有獨特性能的(de)碳化硅作(zuo)為器件(jian)材(cai)料,能制造出。

適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網

高頻脈沖電(dian)鍍(du)(du)Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)性(xing)陽極(ji)極(ji)化結構研究了(le)電(dian)源頻率、占空比、陰極(ji)電(dian)流密度及鍍(du)(du)液(ye)中鈷(gu)1袁(yuan)逖;高頻脈沖電(dian)沉積(ji)鎳鈷(gu)碳(tan)化硅鍍(du)(du)層耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)。

高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通

正采用60m長的(de)138kV電力(li)電纜產(chan)生的(de)幾十(shi)萬伏、2萬安以(yi)上的(de)電流(liu)、波(bo)頭時間約50ns的(de)脈沖(chong)。被(bei)試品為9kV金屬氧(yang)化(hua)物(wu)及(ji)碳化(hua)硅避雷器。避雷器的(de)電壓響(xiang)應包括陡的(de)過沖(chong)電壓。

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2013年1月(yue)30日-美國陸軍研究(jiu)人員正在(zai)向行(xing)業尋求開發進的(de)碳化(hua)硅(SiC)半導體功(gong)率電子技術種高等級配置的(de)高壓開關(guan),脈沖電壓15000V,小電壓10000V,電流峰值30A,。

美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網

采用XeCl準(zhun)分(fen)(fen)子脈(mo)沖激光退火技術制備了(le)納米(mi)晶態碳(tan)化硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對(dui)薄(bo)膜(mo)的光致(zhi)發光(PL)特性進行了(le)分(fen)(fen)析。結果表明,納米(mi)SiC薄(bo)膜(mo)的光致(zhi)發光表現為300-600nm.范(fan)圍(wei)。

脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光

[圖文]V為(wei)(wei)驅(qu)(qu)動脈沖電壓,驅(qu)(qu)動電流(liu)(liu)為(wei)(wei)脈沖電流(liu)(liu).V為(wei)(wei)驅(qu)(qu)動脈沖電壓,驅(qu)(qu)動電流(liu)(liu)為(wei)(wei)脈沖電流(liu)(liu).收藏此頁推(tui)薦給(gei)好友09-23[技術(shu)資訊]碳化(hua)硅(gui)在(zai)高溫范圍內(nei)具有低開關損耗的MOSFE。

紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網

[圖文]這(zhe)種改進(jin)的過壓和浪(lang)涌(yong)電流能力可以使(shi)二極管(guan)的壓力減小,使(shi)應用具(ju)有更高(gao)的可靠性(xing)。SiC肖特(te)基(ji)二極管(guan)——適合各種供(gong)電條(tiao)件的解(jie)決(jue)方(fang)案利用具(ju)有獨特(te)性(xing)能的碳化硅作為(wei)器件。

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論文天(tian)下提供的<高頻脈(mo)沖電沉(chen)積鎳(nie)鈷(gu)碳化(hua)硅鍍層耐(nai)(nai)(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)(nai)(nai)磨性(xing)(xing)的研究;論文包括高頻脈(mo)沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)(nai)(nai)磨性(xing)(xing)陽極極化(hua)結構(gou)等(deng)其他相(xiang)關(guan)內容論文。

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諸暨市特耐工程陶瓷(ci)有(you)限公司(si)碳(tan)(tan)化硅脈(mo)沖類(lei)型:脫(tuo)硫除(chu)塵器林格(ge)曼黑(hei)度:3級(ji)品牌:帕特納型號:碳(tan)(tan)化硅噴嘴脫(tuo)硫率:97(%)除(chu)塵率:96(%)阻力(li)損失:-(Pa),環球貿(mao)易網為您提供。

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2010年8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體(ti)管,射頻峰值(zhi)功率達2200瓦,可用于大(da)功率超高頻脈沖系統的(de)另(ling)一些(xie)優點(dian)包括簡化阻(zu)抗匹(pi)配,125伏的(de)操縱電(dian)壓,低電(dian)導電(dian)流,高峰值(zhi)。

碳化硅脈沖

溫(wen)度脈(mo)沖方法制備(bei)碳(tan)/碳(tan)化(hua)硅(gui)復(fu)合材(cai)料(liao)界(jie)面的微觀結構與(yu)性能研究袁明(ming)(ming),黃政仁,董(dong)紹明(ming)(ming),朱云洲,江東(dong)亮(liang)中(zhong)國科學院上海硅(gui)酸(suan)鹽研究所,上海200050。

Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器

河(he)北(bei)大學(xue)碩(shuo)士學(xue)位(wei)論文納米碳(tan)化硅的脈(mo)沖(chong)激光燒蝕沉積及其光學(xue)特性研(yan)究姓名:孫運濤申請學(xue)位(wei)級別:碩(shuo)士專業:光學(xue)指導教師:于威20030101摘要本(ben)工作采用脈(mo)沖(chong)激光。

溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究

2013年1月30日-美國陸軍研究人(ren)員正在向行業尋求開發進的碳(tan)化硅(gui)(SiC)半導(dao)體功率電(dian)(dian)子技術(shu)種高等級配置的高壓開關(guan),脈沖電(dian)(dian)壓15000V,小電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。

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[圖文]從而(er)具(ju)有非常高(gao)的(de)(de)浪涌(yong)電流(liu)承受能(neng)力(li)和穩定的(de)(de)過壓特性。網中(zhong)的(de)(de)PFC級應用在(zai)瞬(shun)時脈(mo)沖和過壓狀(zhuang)態下具(ju)有更高(gao)的(de)(de)利用具(ju)有獨特性能(neng)的(de)(de)碳化硅作為器件(jian)材料(liao),能(neng)制造出接近。

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通過(guo)(guo)激光(guang)脈沖(chong)波形(xing)與光(guang)電流(liu)脈沖(chong)波形(xing)的(de)比(bi)較(jiao),估算出(chu)2種(zhong)光(guang)導開關的(de)載流(liu)子壽(shou)命和(he)載流(liu)子的(de)基礎上(shang)改(gai)進設計,研制出(chu)了(le)工作(zuo)電壓超(chao)過(guo)(guo)10kV、工作(zuo)電流(liu)超(chao)過(guo)(guo)90A的(de)碳化硅光(guang)導。

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2008年9月26日-這些測試包括使(shi)用1祍脈沖,開關時(shi)間比為(wei)1000,在(zai)“開”狀(zhuang)態驅動電流是100本文(wen)鏈接:碳(tan)化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PI:/news。

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[圖文]GaN器件(jian)包含五項重要特征:高介電(dian)強度(du)、高工(gong)作溫度(du)、大電(dian)流密度(du)、高開關速度(du),如何在(zai)高效脈沖跳頻模式(shi)下選擇輸出濾波(bo)(1)智能(neng)電(dian)視前進(jin)路上的三座。

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[圖文]2012年(nian)4月16日(ri)-既能(neng)(neng)滿足(zu)電(dian)子(zi)模塊的(de)(de)正(zheng)常工作電(dian)流(圖1中的(de)(de)If),也能(neng)(neng)承受ISO7637-2脈(mo)沖[新品快訊]美(mei)高森美(mei)推(tui)出碳(tan)化硅(SiC)材料和技術(shu)的(de)(de)全(quan)新1200V肖(xiao)特基二極管(guan)。

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[圖文(wen)]標簽:600509石(shi)墨烯碳化硅背(bei)景資料老孟股票(piao)具有電(dian)荷(he)這(zhe)種性(xing)質,電(dian)荷(he)的傳導能夠(gou)形成電(dian)流并(bing)成為電(dian)子采用脈沖電(dian)子輻照技(ji)術在SiC基底上外延石(shi)墨烯是我們。

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二(er):電(dian)(dian)流(liu)互(hu)感器(qi)保(bao)護用(yong)于(yu)(yu)保(bao)護電(dian)(dian)流(liu)互(hu)感器(qi)即CTPU.典型應(ying)(ying)用(yong)于(yu)(yu)互(hu)感器(qi)二(er)次過壓(ya)保(bao)護,此類電(dian)(dian)阻片的(de)(de)靈活性使其得到廣范應(ying)(ying)用(yong),可用(yong)于(yu)(yu)熒光燈的(de)(de)尖峰脈沖(chong)抑制(zhi)(直(zhi)徑為(wei)26mm的(de)(de)。

ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網

(3)從損壞的(de)避雷(lei)器閥(fa)片(pian)來看,這(zhe)些避雷(lei)器的(de)閥(fa)片(pian)所用的(de)碳化硅比較(jiao)松散(san),多半是(shi)這(zhe)根電(dian)線(xian)有脈沖電(dian)流渡過,這(zhe)時,測(ce)定在配電(dian)線(xian)路(lu)的(de)導(dao)體(ti)上感應的(de)電(dian)壓波形(xing)。相(xiang)應的(de)。

600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客

2013年8月(yue)21日-尤其是碳(tan)化硅微粉磨的生產加工中,粉塵外泄問題(ti)為嚴重,上海卓(zhuo)亞礦山(shan)機械有限公司研究(jiu)者為其進行(xing)相應的分析與設備的改(gai)造實驗,終得出使用脈(mo)沖除塵器的。

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[圖文]2011年8月4日-現在還(huan)有許多公司在用不同(tong)的基(ji)底(如(ru)藍(lan)寶(bao)石和碳化硅(gui))生產GaNLED,這些LED該電路的基(ji)本(ben)功能是(shi)產生低頻、快速(su)、大功率驅動電流(liu)脈(mo)沖信號,輸出脈(mo)沖的。

什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答

2013年7月22日-1998年已(yi)有頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率(lv)400W的(de)(de)報道[;。2.2碳化硅功率(lv)雙極開發(fa)碳化硅BJT的(de)(de)主要問題是(shi)提高電流(liu)增益。早期6H-SiCBJT的(de)(de)電流(liu)增益只有10。

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脈沖(chong)袋式除(chu)塵(chen)器,分(fen)號機(ji),粉(fen)(fen)(fen)碎機(ji),氣流磨,青島精華PZ粉(fen)(fen)(fen)碎機(ji)的用(yong)途及適應范圍:化(hua)工等物科(ke)的粉(fen)(fen)(fen)碎,尤(you)其適用(yong)于(yu)碳化(hua)硅、剛玉、石英(ying)、烙煉石英(ying)、石餾石等物科(ke)的粉(fen)(fen)(fen)碎。

詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊

碳(tan)化硅顆粒化學(xue)鍍鎳(nie)對鐵基復合(he)材(cai)料性能的影響張躍波1,宗亞平1,曹新建(jian)1,張龍21.東北大(da)學(xue)材(cai)料各向異性與織構教育(yu)部實驗室沈陽1108192.金策(ce)工業綜合(he)。

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碳化硅微粉專用分級機-

供應碳化硅整形機,氣流粉碎機,脈沖除塵器-其他-中國應用技術網

碳化硅顆粒化學鍍鎳對鐵基復合材料性能的影響