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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月21日-這一(yi)項(xiang)目采(cai)用(yong)碳化硅單結(jie)晶加工(gong)物做為粉碎介質(zhi)、應用(yong)水流粉碎機、粉碎工(gong)程內分級和(he)酸堿洗凈技術,開發(fa)出了(le)純度(du)高、雜質(zhi)含量(liang)低的(de)超(chao)細碳化硅微粒,并打入了(le)。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

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碳化硅-搜搜百科

工業碳化(hua)硅(gui)因所含雜質的種類和(he)含量不同,而(er)呈(cheng)淺(qian)黃、綠、藍乃黑(hei)色,透明度隨其產(chan)品適用于制造碳化(hua)硅(gui)細(xi)粉(fen)和(he)超細(xi)陶(tao)瓷級碳化(hua)硅(gui)粉(fen)料。Electro磨(mo)(mo)料公司Electro磨(mo)(mo)料。

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超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-豆丁網

但是由于(yu)普(pu)通RBSC陶(tao)瓷(ci)的(de)原料(liao)雜質(zhi)含(han)量(liang)高(gao)、粒徑分(fen)布寬(kuan)及成型工(gong)(gong)藝(yi)(yi)和燒結(jie)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)的(de)多(duo)樣化超細碳(tan)化硅微粉的(de)制備及反應(ying)燒結(jie)碳(tan)化硅性能的(de)研究文(wen)檔分(fen)類論文(wen)-。

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含(han)量:99.9產(chan)品規格:1000nm產(chan)品包裝:1kg/包且不(bu)會帶入雜質(zhi),是金(jin)剛石磨料的理想替代(dai)品;5、;;納米碳(tan)化硅(gui),超(chao)細碳(tan)化硅(gui),碳(tan)化硅(gui)相關(guan)供應商。

碳化硅_百度百科

本發明涉(she)及(ji)一種應用X射線(xian)熒(ying)光光譜法(fa)檢(jian)測碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)雜質(zhi)含量的方法(fa),其(qi)步(bu)驟如下:1、制(zhi)備測試樣(yang)片(pian)(pian);2、制(zhi)備標準樣(yang)片(pian)(pian):①提純碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的制(zhi)樣(yang);②碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)提純,制(zhi)備出純品碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui);③。

超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-碩士論文-

反(fan)應(ying)燒結超細SiC原位凝固/干壓(ya)成型(xing)碳(tan)密度(du)顯(xian)微結構力學性能但是由于普通RBSC陶瓷的原料雜質含量(liang)高、粒徑分(fen)布1尹長霞;超細碳(tan)化硅微粉的制備及反(fan)應(ying)燒結碳(tan)化硅。

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超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-《武漢理工

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張波—碳化硅_百度文庫

(編(bian)號:WND1109723-0059-0005)一種高(gao)純超(chao)細(xi)碳(tan)化(hua)硅*粉(fen)回收提純分級(ji)技術[技術摘要(編(bian)號:WND1109723-0068-0007)應用X射線熒光(guang)光(guang)譜(pu)法檢(jian)測碳(tan)化(hua)硅雜(za)質含量的(de)方法(。

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2011年6月13日-提(ti)高(gao)產(chan)品(pin)質量(liang),減少(shao)碳化硅(gui)產(chan)品(pin)中的(de)雜質成份含量(liang)。提(ti)高(gao)碳化硅(gui)產(chan)品(pin)的(de)純度、的(de)晶體在破(po)碎時,因強度低,韌性差,受(shou)外力作用首先被粉碎成粉狀顆粒或(huo)超細(xi)。

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2013年(nian)4月3日-有的工廠采用低(di)檔原料(liao)如鐵(tie)質砂、沉淀池和收塵裝(zhuang)置收集的碳化硅細粉來制(zhi)(zhi)造微粉,這也(ye)是(shi)可行的方(fang)法,且可以降(jiang)低(di)制(zhi)(zhi)造成(cheng)本。但(dan)這些原料(liao)雜質含量(liang)多,因而必(bi)須。

供應立方碳化硅SIC耐磨陶瓷粉廣州市供應信息-中國五金商機網!

某常壓(ya)燒結陶瓷級(ji)碳(tan)化(hua)硅微粉要(yao)求原料(liao)平均粒度(du)D50〈0.8μm,對原料(liao)中雜(za)質(zhi)鐵(tie)、碳(tan)、硅的含量要(yao)求較嚴格,通過選礦(kuang)和化(hua)學處理方法(fa)可使其雜(za)質(zhi)含量達到標準(zhun)需(xu)求,超(chao)細(xi)磨(mo)前(qian)。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重(zhong)結晶碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)制(zhi)品專(zhuan)用(yong)(yong)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)粒(li)度砂生(sheng)產方(fang)法(fa)7、碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)超(chao)細微(wei)粉(fen)及其生(sheng)產方(fang)法(fa)8、亞47、應用(yong)(yong)X射線熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢測碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)雜質含量的方(fang)法(fa)48、連(lian)續(xu)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)纖(xian)維制(zhi)造用(yong)(yong)油劑。

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陶瓷級碳化硅微粉提純試驗研究-維普網-倉儲式在線作品出版

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碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年8月21日-841CN200810050205.5一種(zhong)高純超細碳化硅(gui)微粉回收提純分級技術842CN990CN200910228151.1應用X射線熒光光譜(pu)法檢測(ce)碳化硅(gui)雜質含量(liang)的方法991CN。

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結果表明(ming),納米碳化硅粒子能在很低的含量(liang)下提高環氧(yang)樹脂耐磨性、并降低其摩擦系(xi)數(shu)336.劉(liu)玲,黃(huang)爭鳴(ming),周(zhou)燁欣(xin),徐貴營(ying).超細纖維增(zeng)強復合材料Ⅰ型層(ceng)間(jian)斷裂韌性。

新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現熱分解溫度降(jiang)低(di)在宏觀(guan)上可能(neng)是由于(yu)雜(za)質在本體溶液中的依數性熱力(li)學效(xiao)應(ying)所導致。通(tong)過掃(sao)描(miao)電鏡(jing)分析發現,當納米碳化硅SiC含量為(wei)1%時,晶胞尺寸(cun)增大到了535μm,但有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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紀秋龍,章明秋,容敏智,wetzelb,friedrichk.納米碳化硅填充環氧樹脂

合成碳(tan)化(hua)硅(gui)產品的提純(chun)方(fang)面的信息(xi),提純(chun)方(fang)法與提純(chun)結果(guo)等,特別是(shi)對(dui)其(qi)中雜(za)質鐵的去(qu)除合成的超細(xi)粉β—SiC含量為88.07%(SiO_2轉化(hua)率為97.44%).期間分析了(le)煤矸石(shi)。

納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金剛(gang)砂(金剛(gang)沙)純碳(tan)化(hua)(hua)硅是無(wu)色(se)透明的晶(jing)體(ti)。工業碳(tan)化(hua)(hua)硅因(yin)所含雜質(zhi)的種類(lei)和含量不同(tong),而呈(cheng)淺黃(huang)、綠、藍乃06-19批發零售碳(tan)化(hua)(hua)硅粉(價(jia)格優惠)碳(tan)化(hua)(hua)硅粉黑碳(tan)化(hua)(hua)硅。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年(nian)12月28日-碳化(hua)硅(gui)冶煉時(shi)的(de)分解過程,實質(zhi)上是(shi)產(chan)品的(de)凈(jing)化(hua)過程。分解過程次數越(yue)(yue)(yue)多,產(chan)品凈(jing)化(hua)程度(du)充分,凈(jing)化(hua)程度(du)越(yue)(yue)(yue)徹底(di),終的(de)產(chan)品越(yue)(yue)(yue)純凈(jing),產(chan)品中(zhong)雜(za)質(zhi)含量越(yue)(yue)(yue)少,其韌性。

碳化硅的純度問題

其中,雜質少的(de)(de)呈綠色,雜質多的(de)(de)呈黑色。2、化在(zai)高(gao)溫下發生反應,由此制(zhi)備納米級(ji)的(de)(de)β-碳化硅超細粉氧(yang)含量(liang)高(gao)低(di),通常C的(de)(de)添加量(liang)與碳化硅粉料中的(de)(de)氧(yang)含量(liang)。

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如碲化鉛(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫化鉛(PbS)、碳化硅(SiC)等(deng)。與金屬材料不同,半導體中(zhong)雜質含量和外界條件(jian)的改變(如溫度變化、受光照射等(deng)),都(dou)會(hui)使半導體的。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純(chun)碳(tan)化(hua)硅是無色(se)(se)透(tou)明(ming)的晶(jing)體。工業碳(tan)化(hua)硅因所含雜(za)質的種類和含量不同(tong),而呈淺黃、綠(lv)、藍(lan)乃黑色(se)(se),透(tou)明(ming)度隨其(qi)純(chun)度不同(tong)而異(yi)。碳(tan)化(hua)硅晶(jing)體結(jie)構(gou)分為六(liu)方或菱面體的α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一種碳化(hua)硅納米纖(xian)(xian)維的(de)制(zhi)備方(fang)(fang)法,它涉及一種陶(tao)瓷纖(xian)(xian)維的(de)制(zhi)備工藝。為了解決現有方(fang)(fang)法纖(xian)(xian)維的(de)雜質含(han)量極低(di),纖(xian)(xian)維的(de)直徑在20~200nm之間(jian),長度在幾個毫米之間(jian),表面光(guang)滑(hua),。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年3月19日-1041CN200810050205.5一種高純超(chao)細碳化(hua)硅微(wei)粉(fen)回收提純分級技術1042CN1190CN200910228151.1應用X射線熒光光譜法檢測碳化(hua)硅雜(za)質含量(liang)的(de)方(fang)法1191CN。

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一種碳化硅納米纖維的制備方法

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碳化硅生產及應用技術(3)500項-阿里巴巴創業資訊

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碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年5月26日-摘(zhai)要(yao):采用(yong)納米碳化硅(nm-SiC)對氰酸酯樹脂(CE下抽真空4h,除去(qu)吸附的水分及(ji)小分子雜質,密封納米SiC:粒徑(jing)4060nm,灰綠(lv)色超細粉(fen)末,合肥。

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