玻璃設備—石英玻璃熔化爐
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如果(guo)是絲的(de)話,可(ke)以用簡單的(de)裝置(zhi),氫氧焰熔化(hua)石(shi)英粉,然后抽絲。3、要(yao)熔多(duo)長1700°C以上需要(yao)什(shen)么設(she)備(bei)加熱?我(wo)們沒有(you)可(ke)以做到的(de)。5、熔融溫度要(yao)要(yao)高于石(shi)英的(de)。
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球體(ti)(ti)標準板干涉(she)(she)帶激光器石(shi)英干涉(she)(she)級次不確定度估計干涉(she)(she)儀方(fang)向測量(liang)熔化摘要(yao):描述了對水的(de)密(mi)度進行測量(liang)的(de)熔化石(shi)英球體(ti)(ti)體(ti)(ti)積的(de)確定。此球體(ti)(ti)的(de)直徑。
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純(chun)石英融化后,粘度很大,據(ju)說加入(ru)Na和硼,請問加入(ru)的Na和硼怎么去除啊?據(ju)說是用把較小的石英石礦料加工成普通(tong)石英砂(sha)。水法(fa)石英粉因在(zai)出(chu)產過(guo)程,較少產生設備鐵(tie)。
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同時生產(chan)(chan)各種化工(gong)產(chan)(chan)品(pin)的加熱(re)(re)(re)融(rong)化設(she)備及麥芽糖加熱(re)(re)(re)融(rong)化設(she)備,比如化學(xue)樹脂加熱(re)(re)(re)固(gu)(gu)化可用來加熱(re)(re)(re)大(da)理石(shi)(shi)板(ban)(ban),石(shi)(shi)英石(shi)(shi)板(ban)(ban),水玻璃板(ban)(ban),石(shi)(shi)膏(gao)板(ban)(ban),樹脂等(deng)加熱(re)(re)(re)固(gu)(gu)化。威(wei)雅斯(si)微波加熱(re)(re)(re)。
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坩堝是用極耐火的(de)資料(如粘土、石(shi)墨、瓷土、石(shi)英或(huo)(huo)較難(nan)融化的(de)金屬鐵等)所(suo)制(zhi)的(de)器皿或(huo)(huo)融化罐。坩堝為一陶(tao)瓷深(shen)底的(de)碗狀容(rong)器。當有固體(ti)要以大火加熱時,必需運用。
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[摘要]一種(zhong)玻(bo)璃(li)懸浮沸騰熔化(hua)方法(fa)(fa)及設備,方法(fa)(fa):玻(bo)璃(li)配合料制成(cheng)直徑10～25mm的032用(yong)來(lai)熔化(hua)石英玻(bo)璃(li)輥的裝置044一種(zhong)用(yong)超高壓電通過(guo)一次變電熔化(hua)玻(bo)璃(li)的新。
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[圖文]2007年8月22日-制(zhi)造石英(ying)玻(bo)璃大板難度大大在前人沒有(you)做過(guo),兩米(mi)多(duo)長的石英(ying)玻(bo)璃大板沒有(you)見過(guo)。石英(ying)玻(bo)璃熔化(hua)需要攝氏1700多(duo)度,用(yong)什(shen)(shen)么(me)工藝?用(yong)什(shen)(shen)么(me)設備?用(yong)什(shen)(shen)么(me)原料?只能。
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將(jiang)電極(ji)下(xia)降(jiang)水冷套(tao)上約4050mm處起弧,待上部石英料燒(shao)結熔化后(hou)再(zai)下(xia)降(jiang)水冷套(tao)(7)熔制中(zhong)產(chan)生的(de)缺陷原因(yin)應對1)黑(hei)點主(zhu)要來(lai)自原料,其次是石墨,設備(bei)和周圍(wei)。
關于半導體用石英材料的一些總結和疑問-Semi-Equipment[半導體
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金礦選(xuan)設備(bei)水泥(ni)生產線好商鋪供應石英砂(sha)烘干(gan)機運轉過(guo)程(cheng)中的(de)細節處理(li)工藝產品進料口一(yi)般(ban)都會(hui)有(you)耐火磚,這是因為(wei)一(yi)般(ban)普通的(de)紅磚經(jing)受不住高溫(wen)容(rong)易融化(hua),所以一(yi)定。
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可(ke)用來加熱(re)(re)大理石板(ban),石英(ying)石板(ban),水玻璃板(ban),石膏板(ban),樹(shu)脂等加熱(re)(re)固(gu)化(hua)。4、時間,溫度可(ke)以設(she)置,可(ke)以控制,縮(suo)短(duan)加工時間,提高(gao)生(sheng)產效率以下(xia)是常用加熱(re)(re)融化(hua)(溶解(jie))設(she)備參數:。
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2013年2月20日-將石英(ying)坩堝中(zhong)的(de)熔(rong)(rong)融(rong)硅料(liao)分(fen)成兩部分(fen),內側是單晶(jing)(jing)硅生長部分(fen),外側是材(cai)料(liao)熔(rong)(rong)化為(wei)完(wan)成上述(shu)單晶(jing)(jing)硅直徑的(de)一種控制方法的(de)設(she)備,包括輸入裝(zhuang)置、不完(wan)全微分(fen)PID。
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