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SiC粉末化學鍍Cu工藝研究(3)_劍心_新浪博客

Cu復(fu)合(he)粉體金相顯微(wei)圖,亮白色的為(wei)碳化硅顆(ke)粒(li),顆(ke)粒(li)周(zhou)圍的暗(an)灰(hui)色層(ceng)為(wei)包覆的銅層(ceng),從圖3.8和圖3.9可以看(kan)出:140目粉末鍍覆質量相對較高,墨綠(lv)色的SiC顆(ke)粒(li)上。

pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘(zhai)要(yao):對碳化硅(gui)表面進行化學(xue)(xue)鍍鎳,研(yan)究了(le)鍍液的pH值對鍍速、鍍層(ceng)組織及形貌9丁莉莉;化學(xue)(xue)鍍法制備Cu-Si復合粉體工(gong)藝研(yan)究[D];中國海洋大學(xue)(xue);2009年(nian)10。

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2008年10月22日-納(na)米碳化(hua)硅粉體2009-10-2210:47性能特點(dian)本產品(pin)純度(du)高、粒徑小、分布均勻,比表面積(ji)大、高表面活性,松裝密度(du)低(di),具有極好的力學、熱學、電學和。

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超細(xi)粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)金(jin)屬(shu)粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)級粉(fen)(fen)末(mo)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)石墨粉(fen)(fen)碳化(hua)硅合成納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)細(xi)粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)鐵粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)銅(tong)粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)Zn粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)WC粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)TiN粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)Ni粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)Cu粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)Al粉(fen)(fen)納(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)(mi)金(jin)剛石粉(fen)(fen)。

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2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

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納米碳化硅(gui),超細碳化硅(gui)粉通過特殊工藝方法制備,具有純度高(gao)(gao),粒(li)徑分(fen)布(bu)范圍小,高(gao)(gao)比表面積;納米碳化硅(gui)具有化學(xue)性(xing)能穩定,導熱(re)系數(shu)高(gao)(gao)(165W/M.K),熱(re)膨(peng)脹系數(shu)小,硬度高(gao)(gao),。

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[摘(zhai)要]本發明(ming)涉及一種以酵母粉為造孔(kong)劑的(de)碳化硅基(ji)體之基(ji)底(di)的(de)機械(xie)產(chan)品,其外表面還具有一氧化鋁覆層。從而獲(huo)得(de)高體積分數(shu)的(de)SiCp/Cu復(fu)合材料。本發明(ming)能(neng)夠。

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10.亢景付(fu),張振利,韓春翠.等強(qiang)條件下橡膠粉對(dui)碾(nian)壓混凝土(tu)強(qiang)度與(yu)變形(xing)性能(neng)的34.劉桂香,黃(huang)向東,鄭(zheng)振環,李強(qiang).熱壓燒(shao)結一步法制備Cf/Cu復合材(cai)料(liao)的組織。

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1、包(bao)(bao)覆(fu)鋇鐵氧(yang)體(ti)(ti)薄膜(mo)的(de)碳化(hua)硅電(dian)磁吸波材料及其制備8、Cu包(bao)(bao)裹SiC復合粉體(ti)(ti)工(gong)藝的(de)研(yan)(yan)究9、Cu顆粒(li)包(bao)(bao)覆(fu)79、粉體(ti)(ti)的(de)表面修飾與(yu)表面包(bao)(bao)覆(fu)方法的(de)研(yan)(yan)究80、覆(fu)。

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摘(zhai)要:對碳化硅表面進(jin)行化學鍍(du)(du)鎳,研究了(le)鍍(du)(du)液的pH值(zhi)(zhi)對鍍(du)(du)速、鍍(du)(du)層(ceng)組(zu)織及形貌(mao)的影(ying)響(xiang)。結果(guo)表明:鍍(du)(du)液pH值(zhi)(zhi)低(di)于8.5時,無反(fan)應發生(sheng),粉。

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為改善SiC與(yu)金屬(shu)的(de)結合(he)性,分(fen)別(bie)采用化學鍍法(fa)(fa)和非均相沉(chen)淀法(fa)(fa)制備Cu包裹SiC顆粒(li)復合(he)粉體。通過XRD衍(yan)射分(fen)析得出以上兩(liang)種包裹方法(fa)(fa)都可(ke)以得到大部分(fen)包裹著Cu相的(de)SiC顆粒(li),。

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控(kong)制的一些(xie)主(zhu)要(yao)方法,綜述(shu)了目前幾種主(zhu)要(yao)金屬粉末(mo)(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)米(mi)(mi)(mi)碳化硅粉末(mo)納(na)米(mi)(mi)(mi)金屬顆(ke)粒納(na)米(mi)(mi)(mi)金剛石粉納(na)米(mi)(mi)(mi)細(xi)粉納(na)米(mi)(mi)(mi)鐵粉納(na)米(mi)(mi)(mi)銅粉納(na)米(mi)(mi)(mi)級。

超細碳化硅粉體調研報告_2011-2016年超細碳化硅粉體行業項目調研

分析時間從(cong)24小時減到(dao)30min,但對(dui)Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服(fu)方法(fa)的1姚永生;;電(dian)感耦合(he)等離子體原(yuan)子發射光譜法(fa)測定碳(tan)化硅中(zhong)雜質(zhi)元(yuan)素(su)[J];冶金(jin)分析。

納米金屬粉末-學術百科-知網空間

3用天(tian)然高(gao)嶺土制備(bei)碳(tan)化硅晶須/氧化鋁復合(he)陶瓷(ci)粉的g161200580024384.X覆銅、抑制晶須生成的方法(fa)、212200780014522.5晶須得(de)到抑制的Cu-Zn合(he)金耐(nai)熱(re)。

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746-BG28813一種氮化硅/碳化硅多孔陶(tao)瓷(ci)的制(zhi)備(bei)方(fang)法(fa)747-BG28813激光熔覆制(zhi)備(bei)801-BG28813納(na)米ZrO2(Y2O3)/Cu復合(he)功能陶(tao)瓷(ci)材料的制(zhi)備(bei)方(fang)法(fa)802-BG28813一種。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

50、銅(tong)包(bao)裹納米碳化硅顆(ke)粒(li)制備納米復合粉體(ti)(ti)顆(ke)粒(li)的方法8、Cu包(bao)裹SiC復合粉體(ti)(ti)工藝的研究(jiu)9、Cu顆(ke)粒(li)包(bao)覆(fu)納米79、粉體(ti)(ti)的表面修飾(shi)與表面包(bao)覆(fu)方法的研究(jiu)80、覆(fu)Co。

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