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SiC粉末化學鍍Cu工藝研究(3)_劍心_新浪博客

Cu復合粉體金相顯微圖(tu),亮(liang)白色(se)的(de)為碳化硅(gui)顆(ke)(ke)粒(li),顆(ke)(ke)粒(li)周圍的(de)暗(an)灰(hui)色(se)層為包覆(fu)的(de)銅層,從圖(tu)3.8和圖(tu)3.9可(ke)以看(kan)出(chu):140目粉末鍍覆(fu)質量相對(dui)較(jiao)高,墨(mo)綠色(se)的(de)SiC顆(ke)(ke)粒(li)上。

pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要:對碳化(hua)硅(gui)表(biao)面(mian)進行化(hua)學鍍(du)(du)鎳,研究了鍍(du)(du)液的pH值對鍍(du)(du)速、鍍(du)(du)層組織及形貌(mao)9丁莉莉;化(hua)學鍍(du)(du)法制備Cu-Si復合(he)粉(fen)體工藝(yi)研究[D];中(zhong)國海洋大學;2009年10。

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2008年10月22日(ri)-納(na)米碳化硅粉體2009-10-2210:47性能特點本(ben)產品純度(du)高、粒徑小、分布均勻(yun),比表面(mian)積大、高表面(mian)活性,松(song)裝密(mi)度(du)低,具(ju)有(you)極好的力學(xue)、熱(re)學(xue)、電學(xue)和。

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碳化硅粉體(ti)表面改性(xing)對(dui)分(fen)散性(xing)能的影響(xiang)研究(jiu)蘇小紅1,周(zhou)波2,武(wu)七德(de)2,吉曉莉(li)22.5鍶覆體(ti)系(xi)對(dui)SiC微(wei)粉分(fen)散穩定性(xing)能影響(xiang)機瑗(yuan)掇據DLVO理論,siC粉體(ti)可以(yi)通過靜(jing)電。

2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

五金、工具(ju)磨料(liao)供應(ying)碳化硅微(wei)粉(fen)國標(biao)[詳細內容]1.工程陶瓷(ci)用微(wei)粉(fen):1)噴嘴等高溫窯具(ju)微(wei)粉(fen)反應(ying)燒(shao)結粉(fen):F240,F1200,W10,W14,W282)方梁等重結晶用粉(fen):RR100。

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[摘要]本發明涉及一種(zhong)以酵(jiao)母(mu)粉(fen)為造(zao)孔劑的(de)碳化(hua)硅基(ji)體之基(ji)底的(de)機(ji)械產(chan)品,其外表面還(huan)具有(you)一氧化(hua)鋁(lv)覆(fu)層。從而(er)獲得高(gao)體積分(fen)數的(de)SiCp/Cu復(fu)合材料。本發明能夠(gou)。

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1、包覆(fu)鋇鐵氧體(ti)薄膜的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅電磁吸波(bo)材料及其(qi)制備8、Cu包裹SiC復(fu)合(he)粉(fen)體(ti)工藝的(de)(de)研究(jiu)9、Cu顆粒(li)包覆(fu)79、粉(fen)體(ti)的(de)(de)表(biao)面修飾(shi)與(yu)表(biao)面包覆(fu)方法的(de)(de)研究(jiu)80、覆(fu)。

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摘要:對(dui)碳化(hua)硅(gui)表面進行化(hua)學鍍鎳,研究了鍍液的pH值(zhi)對(dui)鍍速、鍍層(ceng)組織及形貌的影響。結果表明:鍍液pH值(zhi)低于8.5時,無(wu)反應發生,粉(fen)。

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為改(gai)善SiC與金屬的(de)結合(he)性,分(fen)別采(cai)用化學鍍法(fa)和(he)非均相沉淀法(fa)制備(bei)Cu包(bao)裹(guo)SiC顆(ke)(ke)粒復合(he)粉體。通過XRD衍射分(fen)析得出以上兩種包(bao)裹(guo)方法(fa)都可以得到大部(bu)分(fen)包(bao)裹(guo)著Cu相的(de)SiC顆(ke)(ke)粒,。

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分析(xi)時間從24小時減到(dao)30min,但對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要(yao)克服方法的1姚(yao)永生;;電感耦合等離子體原子發(fa)射光譜法測(ce)定碳(tan)化(hua)硅中雜(za)質(zhi)元素[J];冶金分析(xi)。

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3用天然高嶺(ling)土制備(bei)碳化硅晶(jing)(jing)須(xu)/氧化鋁復合陶(tao)瓷粉的(de)g161200580024384.X覆銅(tong)、抑制晶(jing)(jing)須(xu)生成的(de)方法、212200780014522.5晶(jing)(jing)須(xu)得到抑制的(de)Cu-Zn合金(jin)耐熱。

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746-BG28813一種(zhong)氮(dan)化硅/碳化硅多孔陶(tao)瓷的制(zhi)備(bei)方法747-BG28813激光熔覆制(zhi)備(bei)801-BG28813納(na)米ZrO2(Y2O3)/Cu復合功(gong)能(neng)陶(tao)瓷材(cai)料(liao)的制(zhi)備(bei)方法802-BG28813一種(zhong)。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

50、銅包(bao)裹納(na)米碳化(hua)硅顆粒制備納(na)米復(fu)合粉體(ti)顆粒的方法(fa)8、Cu包(bao)裹SiC復(fu)合粉體(ti)工(gong)藝的研究(jiu)9、Cu顆粒包(bao)覆納(na)米79、粉體(ti)的表(biao)面修飾(shi)與表(biao)面包(bao)覆方法(fa)的研究(jiu)80、覆Co。

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