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16高(gao)抑煙型阻燃劑納(na)米(mi)氫氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鎂的制(zhi)備及表面處理新方(fang)法(fa)(fa)17管式熱(re)法(fa)(fa)煉鎂生產工藝及其設(she)備18過氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鎂的制(zhi)備方(fang)法(fa)(fa)19活性氫氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鎂的調整方(fang)法(fa)(fa)20間接輕燒。
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本發明(ming)涉及一(yi)種高溫超(chao)導(dao)材料(liao)(liao)氧化(hua)鎂單晶的生產方法和制(zhi)備(bei)設備(bei),本發明(ming)的方法是(shi)通過以(yi)下步驟(zou)實現的:原料(liao)(liao)制(zhi)作(1):制(zhi)品(pin)處理(li)(2);通過在周邊使用(yong)MGO96%以(yi)上重質氧化(hua)鎂材料(liao)(liao)。
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2005年(nian)3月3日-二、單晶氧化(hua)鎂常規生長技術單晶氧化(hua)鎂一般是在(zai)大功率(lv),三相電弧爐(lu)熔制(zhi),這種方法的優(you)點(dian):生產量大,設備結(jie)構簡單。缺(que)點(dian)是:由(you)于石墨電極在(zai)熔制(zhi)過程中(zhong)進入。
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47利用(yong)硼(peng)泥(ni)生產氧化鎂單(dan)晶的(de)方(fang)法(fa)(fa)48用(yong)TiO<sub;2</sub;超細粉焰(yan)熔法(fa)(fa)人(ren)工合(he)成金(jin)紅石單(dan)晶的(de)方(fang)法(fa)(fa)和設備49一(yi)種(zhong)制備金(jin)屬合(he)金(jin)粉末(mo)的(de)方(fang)法(fa)(fa)50硼(peng)酸(suan)鉍(bi)晶體的(de)坩(gan)堝(guo)下降法(fa)(fa)。
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一種高溫超導(dao)材料(liao)氧化鎂單(dan)晶的(de)生產方法,其特征在于:是通過(guo)以下(xia)步驟實現(xian)的(de):原料(liao)制作:礦石-。
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9、低(di)氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)絕熱(re)材料(liao)及其生產(chan)方(fang)法10、低(di)氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)鎂(mei)(mei)硅鐵產(chan)品的生產(chan)工藝和設(she)備1125、利用(yong)硼泥生產(chan)氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)單晶(jing)的方(fang)法26、利用(yong)余熱(re)爐內焙燒礦石制取電熔氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)。
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13、硅(gui)(gui)基納米粉生產(chan)線輸粉,收粉設備14、硅(gui)(gui)片和生產(chan)單晶硅(gui)(gui)的(de)方法15、硅(gui)(gui)微粉和鋯(gao)55200310123644.1用礦(kuang)熱爐生產(chan)低氧化鎂稀(xi)土鈣鎂硅(gui)(gui)鐵合金的(de)冶煉(lian)工藝56。
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.0爐外預熱分解制取電(dian)熔氧化(hua)鎂工(gong)藝及其(qi)設備1402107661.8氨全循(xun)環(huan)法生產氫(qing)氧化(hua)鎂和氧化(hua)鎂114200680009667.1單晶氧化(hua)鎂及其(qi)制造方法115。
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硅鈣鋇鎂(mei)復合脫氧(yang)(yang)劑的生(sheng)產工藝及(ji)所使用的設備(0012)氯氧(yang)(yang)鎂(mei)、硅鎂(mei)水泥托盤(0013(0035)氧(yang)(yang)化鎂(mei)單晶蒸鍍材(cai)料及(ji)其制造方法(0036)氫氧(yang)(yang)化鎂(mei)疏松型納米(mi)粒(li)子塊體阻(zu)燃劑。
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172利用硼泥生產氧化(hua)鎂單晶的方(fang)法(fa)251一種氧化(hua)鎂制(zhi)備方(fang)法(fa)013一種制(zhi)取改性(xing)氫(qing)080低氧化(hua)鎂鎂硅鐵產品(pin)的生產工藝和設備196真空煤炭熱還原氧化(hua)鎂礦提取金(jin)屬鎂。
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一(yi)種利用硼(peng)(peng)泥生產氧化鎂(mei)單晶的(de)方法(fa),將(jiang)硼(peng)(peng)泥經300-600℃輕(qing)燒處理后(hou),以(yi)1∶10-20的(de)固液(ye)比,液(ye)體為(wei)水,在壓力(li)罐中混合(he),通入來(lai)自石灰窯的(de)二氧化碳氣,濃度為(wei)10-35%,。
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鈦酸(suan)鍶(si)單晶基片上外延生長氧化鎂納米(mi)線(xian)的方法,涉及(ji)微電子材料領域,特別涉及(ji)應用(yong)于氧化物(氧化鎂)-復(fu)合(he)氧化物(鈦酸(suan)鍶(si))異(yi)質外延中(zhong)納米(mi)線(xian)及(ji)其表面周(zhou)期(qi)結構的制備方法。
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在(zai)單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)基板上形成第(di)三族氮(dan)化(hua)物外延層方法、制品(pin)及(ji)設備0008)GaN單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)生長(chang)方法、GaN商品(pin)名稱:基板單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)技術單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)氮(dan)化(hua)鎵單(dan)(dan)(dan)晶(jing)(jing)基板半(ban)導體氧化(hua)鎂生產資料剩余時(shi)間:。
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