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一種多晶硅氫化爐用石墨底座說明書下載-中國應用技術網

本實用(yong)新(xin)型(xing)公開了一種多晶硅氫化爐(lu)用(yong)石(shi)墨底座(zuo)(zuo),它(ta)是用(yong)來將(jiang)發熱(re)體與外部供電設備連接起來的引電體。該石(shi)墨底座(zuo)(zuo)包括與發熱(re)體接觸的上邊(bian)緣與下邊(bian)緣,將(jiang)上邊(bian)緣設為圓(yuan)角,。

石墨硅生產工藝-多晶硅,碳化硅,石墨坩堝,用于多晶硅,單晶硅版

[技術摘要(yao)]用稻谷殼制取石墨(mo)碳(tan)化硅涂層及碳(tan)硅化合物,是(shi)將稻殼焦化處理,球磨(mo),40-BG64854一種(zhong)多晶硅氫化爐(lu)用石墨(mo)底座41-BG64854一種(zhong)確保電極和硅芯載(zai)體。

炭素_CNKI學問

本實用新型涉及一種還原爐石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)電極,它屬于多晶硅生產(chan)它由(you)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)底座、石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)夾蓋、石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)夾瓣、硅芯構(gou)成,石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)圓柱形炭素石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)經過掏芯機處理將(jiang)會形成一個石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)坩堝。

沉積多晶硅用石墨電極雅安恒圣石墨制品等靜壓高純石墨碳素

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還原爐石墨電極說明書下載-中國應用技術網

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多晶硅氫加工工藝-多晶硅氫還原,氫還原,氫氣,三氯氫硅,氯化氫

223-BG33770一(yi)種(zhong)多(duo)晶硅(gui)氫化爐用石墨底座624-BG33770一(yi)種(zhong)轉(zhuan)化四氯化硅(gui)54-BG33770一(yi)種(zhong)三氯氫硅(gui)還原生產多(duo)晶硅(gui)循(xun)環氫氣提純(chun)處理方法55-BG33770一(yi)種(zhong)。

炭素-《炭素技術》2012年第06期-吾喜網

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*不同規格的石(shi)墨(mo)圓(yuan)材,方材,石(shi)墨(mo)鉑(bo),石(shi)墨(mo)氈(zhan),石(shi)墨(mo)粉(fen),復合(he)碳氈(zhan)等。本公司工業產品爐,多晶硅、單(dan)晶硅爐,真空爐,熱處理爐發熱產品。規格尺寸(cun):。

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007商務站石墨坩堝底(di)(di)座(zuo)相關產品石墨坩堝底(di)(di)座(zuo)相關:石墨坩堝經抗氧化劑(ji)表浸(jin)處理后,可(ke)以(yi)大石墨材質加(jia)工的石墨坩堝,主要應用于(yu)高純硅、多晶硅。

石墨加熱器,石墨發熱元件,發熱石墨器件-多晶硅石墨熱場-光伏

一種具有定向凝固組織多(duo)晶(jing)(jing)硅錠(ding)的(de)制備方(fang)法(fa),它涉及一種多(duo)晶(jing)(jing)硅錠(ding)生產方(fang)法(fa),以解決現有多(duo)晶(jing)(jing)硅錠(ding)的(de)制備主要是在陶(tao)瓷或(huo)石墨套(tao)筒中進行,套(tao)筒內壁(bi)對(dui)多(duo)晶(jing)(jing)硅產生污染,導致多(duo)晶(jing)(jing)硅錠(ding)。

石墨坩堝底座相關產品-007商務站-全球網上貿易平臺-第1頁

寧波(bo)市(shi)鄞州(zhou)華鑫(xin)密封件(jian)制造廠位于浙(zhe)江省寧波(bo)市(shi),在長江三角(jiao)洲占重要(yao)的地理位置,交通(tong)非常方便,占地面積(ji)5000平方米(mi),是一家專(zhuan)業生產(chan)石(shi)墨制品的產(chan)品,主要(yao)產(chan)品有:<br;1。

一種具有定向凝固組織多晶硅錠的制備方法說明書下載-中國應用

多晶(jing)硅石墨碳含量預處理玻璃碳為使多晶(jing)硅中碳含量降低水平,石墨件應經(jing)表面涂覆(fu)處理,如進行玻璃碳表面處理,以減(jian)少石墨件直接(jie)與氫(qing)氣接(jie)觸并發(fa)生反(fan)應,并。

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多晶硅棒的(de)切割工(gong)(gong)裝46用于多晶硅副(fu)產(chan)物(wu)四氯化硅處理的(de)反應器47一種多晶硅氫化爐用石墨底座48多晶硅還原(yuan)鑄錠聯合生產(chan)裝置49一種閉路循環(huan)生產(chan)多晶硅的(de)工(gong)(gong)藝50多晶硅。

石墨材料在多晶硅生產中的應用——降低碳含量,提高多晶硅品質

炭(tan)素,公開(kai)號:CN101486458公開(kai)日:2010-07-22申請人:四川永(yong)祥多晶(jing)硅(gui)有限(xian)公司發(fa)明(ming)(ming)人:楊(yang)永(yong)富發(fa)明(ming)(ming)名稱(cheng):多晶(jing)硅(gui)還原爐石墨電極的潔凈處理(li)水淬法本(ben)發(fa)明(ming)(ming)公開(kai)了多晶(jing)硅(gui)還原爐。

多晶硅配料計算多晶硅原材料計算-圖書價格:280-綜合其他圖書/

錠(ding)取出的(de)(de)(de)熔化材料(liao)的(de)(de)(de)坩(gan)堝(guo)(guo)防粘涂層的(de)(de)(de)制(zhi)備與(yu)應用(yong),更具體地(di)涉及用(yong)于多(duo)晶硅的(de)(de)(de)結晶的(de)(de)(de)處理的(de)(de)(de)坩(gan)堝(guo)(guo)蓋、坩(gan)堝(guo)(guo)筒和(he)圓(yuan)凸臺的(de)(de)(de)坩(gan)堝(guo)(guo)底(di),圓(yuan)凸臺的(de)(de)(de)坩(gan)堝(guo)(guo)底(di)具有上凸臺和(he)下(xia)底(di)座(zuo),。

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15-WX110852石墨坩堝16-WX110852石墨底座(zuo)017-WX110852石墨烯基(ji)器件20-WX110852多晶硅薄膜的制備方法:21-WX110852石墨電極的潔凈處(chu)理水淬法。

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多晶硅(gui)尾(wei)氣回(hui)收(shou)與(yu)處(chu)理(li)論文??8,尾(wei),尾(wei)8該方(fang)法的(de)主要工(gong)藝(yi)流程是:將反應器中石墨管的(de)溫(wen)度升高到(dao)1500多晶硅(gui)尾(wei)氣回(hui)收(shou)與(yu)處(chu)理(li)論文??8,尾(wei),尾(wei)8文檔分類待分類。

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由于(yu)硅在常溫(wen)時(shi)電阻率很高,不易導(dao)通,業(ye)內多(duo)晶硅生(sheng)產廠(chang)家常采用①石墨加(jia)(jia)熱、②等離子加(jia)(jia)熱、③鹵(lu)素(su)燈加(jia)(jia)熱等外加(jia)(jia)熱方(fang)式,將還原(yuan)爐爐溫(wen)加(jia)(jia)熱300℃左右,還原(yuan)電源輸(shu)出。

自主研發物理提純法,多晶硅純度達99.9999%以上-處理器/DSP-電子

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