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多晶硅棒熱力學破碎工藝與裝備-查詢下載-中國應用技術網

使(shi)其升溫500-800℃,然后對(dui)熱(re)的多晶(jing)硅(gui)棒驟冷(leng),從而獲得晶(jing)間(jian)應力使(shi)其容易破碎。上一篇:汽車裝(zhuang)車撬裝(zhuang)發油裝(zhuang)置下一篇:一種治療淋巴結腫大的中藥制(zhi)劑。

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200920232987上下加熱(re)的(de)(de)上置式多晶(jing)硅(gui)(gui)爐(lu)907.200920232985一種有效(xiao)控制(zhi)熱(re)場的(de)(de)多晶(jing)硅(gui)(gui)鑄(zhu)錠爐(lu)908.200920148006多晶(jing)硅(gui)(gui)棒熱(re)力學破碎裝備909.200920169160多晶(jing)硅(gui)(gui)尾氣。

一種自平衡沖擊多晶硅破碎裝置_廣搜網

2013年8月17日-一種(zhong)自(zi)平(ping)衡(heng)沖擊(ji)多晶硅破碎裝置(zhi),摘要:一種(zhong)自(zi)平(ping)衡(heng)沖擊(ji)多晶硅破碎裝置(zhi),涉及(ji)一種(zhong)多晶硅料破碎設備,主要由機(ji)(ji)架、氣動(dong)沖擊(ji)機(ji)(ji)構和緩沖機(ji)(ji)構組成,氣動(dong)沖擊(ji)機(ji)(ji)構通過。

高效智能全自動機械化多晶硅破碎機可行性分析報告-『硅料,

2012年1月(yue)27日-學士學位論文1引言多晶(jing)硅是半(ban)導(dao)體(ti)工業、電(dian)子從還原爐成形(xing)完成后的硅棒首先(xian)要進行破碎,目前0低速級輸出(chu)軸所需有(you)效功率傳動裝置的總效率。

多晶硅破碎機設計-豆丁網

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多晶硅(gui)沖擊破(po)碎錘頭錘桿摘(zhai)要:太陽能(neng)級多晶硅(gui)純度為"6個(ge)9",該裝置采(cai)用(yong)錘式沖擊破(po)碎,錘頭與硅(gui)棒接觸7楊維菊;美國太陽能(neng)熱利(li)用(yong)考(kao)察及思考(kao)[。

多晶硅破碎篩分機結構設計與分析-《沈陽理工大學學報》2010年06期

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一(yi)種將多(duo)晶硅(gui)破(po)碎(sui)為希望大小的(de)(de)(de)(de)塊,并(bing)且齒的(de)(de)(de)(de)一(yi)部分(fen)產生(sheng)缺損和(he)磨損等(deng)時,能(neng)夠(gou)僅更換該齒的(de)(de)(de)(de)多(duo)晶硅(gui)的(de)(de)(de)(de)破(po)碎(sui)裝置及多(duo)晶硅(gui)破(po)碎(sui)物的(de)(de)(de)(de)制(zhi)造(zao)方法。所述(shu)多(duo)晶硅(gui)的(de)(de)(de)(de)破(po)碎(sui)裝置,在圍繞平(ping)行。

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研發新型反(fan)應器(qi)采用SiH4熱分解(jie)生產粒狀多晶硅Asimi從電極上取下硅棒時不包括任何小于20mm的(de)部分41加熱破碎(sui)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)加熱破碎(sui)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)采用由俄羅斯設計(ji)的(de)加熱破碎(sui)。

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本發(fa)明涉及能(neng)夠(gou)靈活地(di)對粉碎(sui)的(de)多(duo)晶硅(gui)實施(shi)分(fen)級的(de)裝置,其(qi)特征在于包括機(ji)械(xie)篩分(fen)系統(tong)(tong)(tong)和光(guang)電分(fen)級系統(tong)(tong)(tong),其(qi)中通過機(ji)械(xie)篩分(fen)系統(tong)(tong)(tong)將多(duo)晶碎(sui)片分(fen)離成細的(de)硅(gui)組(zu)(zu)份和剩余的(de)硅(gui)組(zu)(zu)份,并。

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標(biao)簽:機(ji)(ji)械(xie)(xie)(xie)手多晶硅破(po)碎單根硅棒上料(liao)機(ji)(ji)械(xie)(xie)(xie)手產品(pin)簡介本(ben)產品(pin)是為(wei)多晶硅棒破(po)碎以及硅棒后處理(li)轉移(yi)和搬運而(er)特別設計的(de)可(ke)移(yi)動(dong)式機(ji)(ji)械(xie)(xie)(xie)手設計充(chong)分考(kao)慮到硅棒規格(ge)品(pin)質(zhi)潔凈防爆。

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本(ben)實(shi)用新型(xing)公開(kai)了一種(zhong)多(duo)晶硅(gui)破(po)(po)碎(sui)凈化平臺(tai)裝置,所述裝置包括破(po)(po)碎(sui)臺(tai)面、過濾筒、漏斗(dou)集料器、脈沖反吹裝置和集料抽(chou)屜,所述破(po)(po)碎(sui)臺(tai)面用于承載待(dai)加工的多(duo)晶硅(gui),在所述破(po)(po)碎(sui)。

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5硅(gui)烷熱分解制備(bei)多晶硅(gui)191小結(jie)193習題194參考文獻195光盤內容介紹目錄(lu)如下:保護裝置43加工超大直(zhi)徑單晶硅(gui)圓棒(bang)與(yu)多晶硅(gui)鑄錠的數控(kong)帶鋸床44一種(zhong)多晶硅(gui)破碎。

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