SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材料(liao)的硬度及脆性大,且化學穩(wen)定性好,故如何獲得高平面精(jing)度的無損傷晶片(pian)表面已成(cheng)為其廣(guang)泛應用所必須解決的重要問題。本論(lun)文采(cai)用定向切割晶片(pian)的方法,分(fen)別研究了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要:SiC單(dan)(dan)晶(jing)的材(cai)質既硬且(qie)脆,加(jia)工(gong)難度(du)很大(da)。本(ben)文介紹(shao)了(le)加(jia)工(gong)SiC單(dan)(dan)晶(jing)的主(zhu)(zhu)要方法,闡(chan)述(shu)了(le)其加(jia)工(gong)原理、主(zhu)(zhu)要工(gong)藝參數(shu)對加(jia)工(gong)精度(du)及效率的影響(xiang),提出了(le)加(jia)工(gong)SiC單(dan)(dan)晶(jing)片今后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械(xie)密(mi)封環表面微織構激光(guang)加工工藝符永宏祖權紀敬虎楊(yang)東燕符昊摘要:采用聲光(guang)調Q二(er)極管泵浦Nd:YAG激光(guang)器,利用"單脈沖同點間隔多(duo)次"激光(guang)加工工藝,。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由于SiC硬度(du)非常高(gao),對單晶后續的加(jia)工造成很多困難,包括切割和磨拋.研究(jiu)發現(xian)利用圖中顏色較深的是摻(chan)氮條(tiao)紋,晶體(ti)生長45h.從上(shang)述移(yi)動坩堝(guo)萬方數(shu)據812半導體(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶(tao)瓷(ci)以其(qi)優異的性(xing)能得到廣泛的應(ying)用,但(dan)是其(qi)難以加(jia)工的缺點(dian)限制了應(ying)用范圍。本文對(dui)磨削方法加(jia)工SiC陶(tao)瓷(ci)的工藝(yi)參(can)數(shu)(shu)進(jin)行(xing)了探討,其(qi)工藝(yi)參(can)數(shu)(shu)為組(zu)合(he):粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日(ri)-LED半導體照明網(wang)訊日(ri)本上市公司薩(sa)姆肯(Samco)發(fa)布了新型晶片盒生產蝕刻系(xi)統,處理SiC加工,型號(hao)為RIE-600iPC。系(xi)統主要應用在碳化硅功率(lv)儀器平面加工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月(yue)24日-日本(ben)上市公(gong)司薩姆(mu)肯(Samco)發布了新(xin)型晶片(pian)盒生產蝕刻(ke)系統,處(chu)理SiC加工,型號為RIE-600iPC。系統主要應(ying)用在碳化硅(gui)功率儀(yi)器(qi)平面加工、SiCMOS結構槽刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸SiC表面(mian)裂紋(wen)加工(gong)質量(liang)摘要:SiC是第三代半導(dao)體(ti)(ti)材料的核心之一,廣泛用于制作電(dian)子器件,其(qi)加工(gong)質量(liang)和精度(du)直(zhi)接影響(xiang)到(dao)器件的性能(neng)。SiC晶體(ti)(ti)硬度(du)高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采用(yong)聲光(guang)調(diao)Q二極管泵浦(pu)Nd:YAG激光(guang)器(qi),利用(yong)“單脈沖同點(dian)間(jian)隔多次(ci)”激光(guang)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi),對碳化(hua)硅(gui)機械密封試樣端面進行(xing)激光(guang)表面微織構的(de)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)試驗(yan)研究.采用(yong)Wyko-NTll00表面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到2754條(tiao)符合-SiC的(de)查詢(xun)結果。您可(ke)以在阿里巴巴公司黃頁搜索到關(guan)(guan)于-SiC生產商的(de)工商注冊年(nian)份、員工人數(shu)、年(nian)營業額、信用(yong)記錄(lu)、相關(guan)(guan)-SiC產品的(de)供求(qiu)信息、交易記錄(lu)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供(gong)應商免費提(ti)供(gong)各類(lei)sic碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)批發(fa),sic碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)價格,sic碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)廠家信(xin)息,您(nin)也可以在這里免費展(zhan)示銷(xiao)售sic碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui),更有機會(hui)通過各類(lei)行業展(zhan)會(hui)展(zhan)示給需求方!sic碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)商機盡在。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石多線切割設備在SiC晶(jing)片加工中的應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全文下載(zai)全文導出添加到引用通知分(fen)享(xiang)到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月(yue)17日-SiC陶瓷與鎳(nie)基高溫(wen)合金的熱壓反應燒結連接(jie)段輝平李樹杰張永剛劉(liu)深張艷黨(dang)紫九劉(liu)登科摘要(yao):采用Ti-Ni-Al金屬復合焊料粉(fen)末,利用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具(ju)加工SiC顆(ke)粒增強鋁基復合(he)材料的(de)(de)公道切削速度〔摘(zhai)要〕通過用(yong)掃描(miao)電(dian)鏡等方式檢測PCD刀具(ju)的(de)(de)性(xing)能,并(bing)與自然金剛石的(de)(de)相(xiang)關參數進(jin)行比較,闡明(ming)了PCD刀具(ju)的(de)(de)優異(yi)性(xing)能。
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石墨(mo)SiC/Al復合(he)材(cai)料壓力(li)浸滲力(li)學性(xing)能加工性(xing)能關鍵詞:石墨(mo)SiC/Al復合(he)材(cai)料壓力(li)浸滲力(li)學性(xing)能加工性(xing)能分類號:TB331正文快照(zhao):0前(qian)言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文]2012年11月29日-為了研究磨(mo)(mo)削工藝(yi)參數(shu)對SiC材(cai)料磨(mo)(mo)削質量(liang)的(de)影(ying)響規(gui)律,利用DMG銑磨(mo)(mo)加工做(zuo)了SiC陶瓷平面磨(mo)(mo)削工藝(yi)實驗,分析研究了包括主軸轉(zhuan)速、磨(mo)(mo)削深度(du)、進給速度(du)在內的(de)。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研(yan)究方向(xiang):微(wei)(wei)(wei)納(na)設(she)(she)計(ji)與加(jia)工(gong)技術(shu)(shu)(shu)、SiCMEMS技術(shu)(shu)(shu)、微(wei)(wei)(wei)能源技術(shu)(shu)(shu)微(wei)(wei)(wei)納(na)設(she)(she)計(ji)與加(jia)工(gong)技術(shu)(shu)(shu)微(wei)(wei)(wei)納(na)米加(jia)工(gong)技術(shu)(shu)(shu):利用深刻(ke)蝕加(jia)工(gong)技術(shu)(shu)(shu),開發出適合于大(da)規(gui)模加(jia)工(gong)的高精度微(wei)(wei)(wei)納(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體(ti)生長(chang)和(he)(he)加工SiC是(shi)重要的寬禁帶半導體(ti),具有高熱導率、高擊穿(chuan)場強等特(te)性和(he)(he)優勢,是(shi)制作高溫、高頻、大功(gong)率、高壓以及抗(kang)輻(fu)射電(dian)子器(qi)件(jian)的理想(xiang)材料(liao),在軍工、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)簡單地(di)介(jie)紹了(le)發(fa)光二極(ji)管(guan)的發(fa)展歷程(cheng),概述了(le)LED用(yong)SiC襯底的超(chao)精(jing)密研(yan)磨技(ji)術的現狀及發(fa)展趨勢,闡述了(le)研(yan)磨技(ji)術的原(yuan)理、應用(yong)和優勢。同(tong)時結(jie)合(he)實(shi)驗室(shi)X61930B2M-6型(xing)。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年(nian)6月6日-磨(mo)料是用(yong)于磨(mo)削加(jia)工和(he)制做磨(mo)具的一種基(ji)礎(chu)材料,普通(tong)磨(mo)料種類主要有剛玉和(he)1891年(nian)美國卡不(bu)倫登公(gong)司的E.G艾奇遜用(yong)電阻爐(lu)人工合成并發明(ming)SiC。1893年(nian)。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩擦加工SiC復(fu)合(he)層對(dui)鎂(mei)合(he)金摩擦磨損性(xing)能的影響分(fen)享到:分(fen)享到QQ空間(jian)收藏推薦鎂(mei)合(he)金是(shi)目前輕(qing)的金屬結構材(cai)料(liao),具(ju)有密度低、比(bi)強度和比(bi)剛度高、阻尼減震性(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述(shu)了(le)半導體材料SiC拋光技(ji)(ji)(ji)術的(de)(de)發展(zhan),介紹了(le)SiC單(dan)晶片CMP技(ji)(ji)(ji)術的(de)(de)研究現(xian)狀,分析了(le)CMP的(de)(de)原理(li)和工(gong)藝參數對拋光的(de)(de)影響,指出了(le)SiC單(dan)晶片CMP急待解決的(de)(de)技(ji)(ji)(ji)術和理(li)論問題(ti),并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年(nian)在國(guo)內(nei)率先完成(cheng)1.3m深焦比輕質非球(qiu)面反(fan)射鏡的(de)研(yan)究(jiu)工(gong)作,減重比達到65%,加(jia)工(gong)精度優于17nmRMS;2007年(nian)研(yan)制(zhi)成(cheng)功1.1m傳輸型詳查相機SiC材料離軸(zhou)非球(qiu)面主鏡,加(jia)工(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日-近日,三菱電(dian)機宣布(bu),開發出(chu)了(le)能夠(gou)一(yi)次將一(yi)塊多(duo)晶碳化硅(gui)(SiC)錠(ding)切割成40片(pian)SiC晶片(pian)的多(duo)點(dian)放電(dian)線切割技(ji)術。據悉,該技(ji)術有望提高SiC晶片(pian)加工的生產效率,。
SiC晶體生長和加工
加工圓孔孔徑(jing)范圍(wei):200微(wei)米—1500微(wei)米;孔徑(jing)精度:≤2%孔徑(jing);深(shen)寬/孔徑(jing)比:≥20:1(3)飛秒激光數(shu)控機床的微(wei)孔加工工藝:解決戰略(lve)型CMC-SiC耐高溫材料微(wei)孔(直(zhi)徑(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝(hui)市(shi)車船機電有限公(gong)司(si)csic衛輝(hui)市(shi)車船機電有限公(gong)司(si)是(shi)(shi)(shi)中國船舶重工(gong)集團公(gong)司(si)聯營(ying)是(shi)(shi)(shi)否提供加工(gong)/定制服務:是(shi)(shi)(shi)公(gong)司(si)成立時間(jian):1998年公(gong)司(si)注冊地:河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖(tu)文]激光(guang)加工激光(guang)熔覆陶瓷(ci)涂層耐腐(fu)蝕性極(ji)化(hua)曲(qu)線關(guan)鍵字:激光(guang)加工激光(guang)熔覆陶瓷(ci)涂層耐腐(fu)蝕性極(ji)化(hua)曲(qu)線采用(yong)激光(guang)熔覆技術,在45鋼表面對含量(liang)不同的(de)SiC(質量(liang)。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行(xing)研(yan)(yan)發了SiC晶片加工工藝(yi):選取適當種類(lei)、粒度、級配的(de)磨(mo)料和加工設備來切割、研(yan)(yan)磨(mo)、拋光(guang)、清(qing)洗和封(feng)裝(zhuang)的(de)工藝(yi),使(shi)產品達到了“即(ji)開(kai)即(ji)用”的(de)水準。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離(li)軸非(fei)球面SiC反射鏡的(de)精(jing)密銑磨(mo)加工技術(shu),張志宇;李銳(rui)鋼(gang);鄭立(li)功;張學軍;-機械工程(cheng)學報2013年第17期在線閱讀、文章(zhang)下載。<正;0前言1環繞地球軌道運(yun)行的(de)空間(jian)。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加工(gong)電(dian)流非常小(xiao),Ie=1A,加工(gong)電(dian)壓為170V時,SiC是加工(gong)的,當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外,Iwanek還得出(chu)了“臨(lin)界電(dian)火花加工(gong)限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范(fan)圍:陶瓷(ci)軸(zhou)承;陶瓷(ci)噴嘴;sic密(mi)封件(jian);陶瓷(ci)球;sic軸(zhou)套(tao);陶瓷(ci)生產加工(gong)機(ji)械;軸(zhou)承;機(ji)械零(ling)部件(jian)加工(gong);密(mi)封件(jian);陶瓷(ci)加工(gong);噴嘴;噴頭;行業類別:計算機(ji)產品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此(ci),本文對(dui)IAD-Si膜層的微觀結構、表(biao)面形貌及(ji)抗熱振蕩性能(neng)進行了研究,這(zhe)不僅對(dui)IAD-Si表(biao)面加工(gong)具有指(zhi)導意義,也(ye)能(neng)進一步證(zheng)明RB-SiC反射鏡表(biao)面IAD-Si改性技(ji)術的。