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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮化鋁(lv)陶瓷常(chang)壓燒結致(zhi)密化抗水(shui)性自擴散系(xi)數小(xiao),通常(chang)需要熱壓燒結才能(neng)制(zhi)備(bei)出高致(zhi)密的氮化鋁(lv)陶瓷2.2實驗儀器設備(bei)和(he)原料31-322.3實驗方(fang)法32-332.3。

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氮化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)導熱(re)性(xing)能良好,是集成電(dian)(dian)路基板和電(dian)(dian)子封(feng)裝的(de)理想材料(liao)。但氮化(hua)鋁(lv)為(wei)強共(gong)價鍵結合物(wu),熔點高,自擴散系數小(xiao),通常(chang)需(xu)要熱(re)壓(ya)燒(shao)結才能制備(bei)出高致(zhi)密的(de)氮化(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)。并且。

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氮(dan)化鋁(lv)(AlN)燒(shao)結爐溫度均勻(yun)性批量(liang)生產(chan)《電子工(gong)業專用設(she)備(bei)》2010年06期加入收藏投稿(gao)氮(dan)化鋁(lv)尤其是在氮(dan)化鋁(lv)陶(tao)瓷批量(liang)生產(chan)過程(cheng)中,陶(tao)瓷燒(shao)結爐的(de)溫度不均勻(yun)。

電子封裝用AlN燒結工藝及機理

但近幾年國(guo)際(ji)上很多國(guo)家在重視AlN基片材料研發工作的同(tong)時(shi),對氮(dan)化鋁陶瓷(ci)燒結爐的制備也越來越重視,由此孕(yun)育出一(yi)些專業(ye)的氮(dan)化鋁陶瓷(ci)燒結設備制造(zao)商,尤其(qi)是美國(guo)和(he)日本。

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本文通過使用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作(zuo)為(wei)添加劑,研究(jiu)不同添加劑對注射成型(xing)低溫燒結AlN提(ti)高致密度(du)和熱導率的作(zuo)用。實驗結果表明(ming),使用Li2CO3,CaF2和Y2O3。

氮化鋁無壓燒結-陳衍春-豆丁網

采用(yong)微波高溫(wen)燒(shao)結(jie)工藝,制(zhi)備了致(zhi)密的AlN陶(tao)(tao)瓷(ci),并初步探討了微波燒(shao)成環境對燒(shao)結(jie)體燒(shao)結(jie)陶(tao)(tao)瓷(ci)加工陶(tao)(tao)瓷(ci)相陶(tao)(tao)瓷(ci)量塊(kuai)陶(tao)(tao)瓷(ci)英語陶(tao)(tao)瓷(ci)機械(xie)陶(tao)(tao)瓷(ci)件陶(tao)(tao)瓷(ci)帽陶(tao)(tao)瓷(ci)設(she)備。

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氮(dan)化鋁燒結(jie)級AlN-010-A1S產品AlN-010-A1S氮(dan)化鋁粉體(ti)經過(guo)成(cheng)型燒結(jie)程序制成(cheng):用於射頻IC、高功(gong)率IC、LED晶(jing)片(pian)載板,高導熱電子基板,LED路(lu)燈熱電燈板,高導熱共燒陶瓷。

AlN陶瓷-學術百科-知網空間

中國設(she)備(bei)網(wang)-帶(dai)式燒結機,這(zhe)里匯集了(le)眾(zhong)多的(de)(de)生產廠家,銷售公司,采購商。這(zhe)是(shi)氮化鋁透明陶瓷燒結的(de)(de)詳(xiang)細頁(ye)面。所在區域:湖南(nan),價格范圍(wei):電議,有效(xiao)期:長期有效(xiao),產品介紹:。

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微波燒(shao)結(jie)設(she)備主要(yao)應用于燒(shao)結(jie)各種高(gao)品質的陶(tao)瓷(ci)、氮化(hua)(hua)(hua)硅(gui)、碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)、氧化(hua)(hua)(hua)鋁、氮化(hua)(hua)(hua)鋁、氧化(hua)(hua)(hua)鋯等;燒(shao)結(jie)電(dian)子(zi)陶(tao)瓷(ci)器件:PZT壓(ya)電(dian)陶(tao)瓷(ci)、壓(ya)敏(min)電(dian)阻等。所謂微波燒(shao)結(jie)或微波燃燒(shao)合成。

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供應:燒結(jie)氮(dan)化鋁(工藝技(ji)術(shu)資料配方圖紙參數(shu))光盤當前價格:200.00元1-BG52096含(han)碳的(de)(de)氮(dan)化鋁燒結(jie)體以及用(yong)于半(ban)導(dao)體制造檢測設備的(de)(de)陶瓷(ci)基(ji)材2-BG。

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一種(zhong)氮化(hua)(hua)鋁陶瓷的(de)低溫(wen)燒結,包括氮化(hua)(hua)鋁起(qi)始粉(fen)料(liao)選擇,添加(jia)物的(de)選擇以及燒結工藝參數的(de)選擇。其(qi)特征在(zai)于(yu):(1)以碳(tan)熱還(huan)原法及高溫(wen)自蔓延合成(cheng)法制備的(de)AlN粉(fen)體為起(qi)始。

供應氮化鋁真空脫膠燒結爐

微波(bo)燒結設備紙(zhi)箱刀具(ju)綠碳化(hua)硅(gui)砂倒角刀具(ju)優質(zhi)刀具(ju)泰珂(ke)洛刀具(ju)導(dao)熱/導(dao)熱粉(fen)/氮(dan)化(hua)鋁(lv)/氮(dan)化(hua)鋁(lv)粉(fen)導(dao)熱/導(dao)熱粉(fen)/氮(dan)化(hua)鋁(lv)/氮(dan)化(hua)鋁(lv)粉(fen)填(tian)充/填(tian)充劑(ji)/。

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本(ben)發明目的是提(ti)供一種能保持10#+〔8〕Ω.cm或更大(da)的體(ti)積電阻率的氮(dan)化鋁燒結體(ti),能保證覆蓋能力,大(da)的輻射熱量和用(yong)溫度顯(xian)示器測定時的準確度。本(ben)發明的含(han)碳氮(dan)化。

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一種(zhong)氮(dan)化鋁燒(shao)結體,其特征在(zai)于包(bao)含(han)1-10%(重量(liang))從(cong)周(zhou)期表Ⅲa族(zu)元素、Ca、Sr、Ba中選擇的少。

氮化鋁陶瓷的低溫燒結

華(hua)順系(xi)列陶瓷(ci)覆銅板(氮(dan)化鋁、氧化鋁、氮(dan)化硅)燒結爐廣(guang)泛應用於陶瓷(ci)覆銅板(DBC0在保(bao)護氣氛中(zhong)的鍵合(he)、熱處理等工序。設(she)備針(zhen)對陶瓷(ci)復合(he)的特(te)殊工藝特(te)點設(she)計(ji)了專有(you)的。

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10、燒(shao)結(jie)釹鐵硼稀土永(yong)磁材(cai)料(liao)(liao)與新書推薦驕陽似(si)氮(dan)化鋁陶瓷分享(xiang)到(dao):博庫(ku)價:23.2元定價:28建筑(zhu)施工土木工程建筑(zhu)設備建筑(zhu)材(cai)料(liao)(liao)建筑(zhu)測量工程造價。

含碳的氮化鋁燒結體,用于半導體制造/檢測設備的基材-查詢下載

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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼

[圖文(wen)]3.2.5高壓(ya)設備的高精(jing)度控制(zhi)系(xi)統3.2.6腔體(ti)介質材料的選擇3.2.7加熱源石墨3.3高壓(ya)燒(shao)結(jie)(jie)腔體(ti)設計3.4高壓(ya)燒(shao)結(jie)(jie)AlN陶瓷(ci)制(zhi)備工藝流程3.4.1高壓(ya)燒(shao)結(jie)(jie)AlN。

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論文天下提供的(de)<AlN粉(fen)末的(de)制備、低(di)溫燒(shao)結及(ji)其(qi)(qi)注射成形技術的(de)研究;論文包括氮化鋁(lv)陶(tao)瓷材料注射成形低(di)溫燒(shao)結復合(he)陶(tao)瓷制備低(di)溫燒(shao)結注射等其(qi)(qi)他(ta)相關內容(rong)論文。

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本發明提供一種(zhong)高純度氮(dan)(dan)化(hua)鋁燒結體,其在(zai)氮(dan)(dan)化(hua)鋁燒結體制造時,有效地除去原(yuan)料粉末中所含(han)的氧(yang)化(hua)物(wu)(wu),且通過原(yuan)料粉末中所含(han)的氧(yang)化(hua)物(wu)(wu)與燒結助劑反應來防止生成(cheng)的復(fu)合(he)氧(yang)化(hua)。

氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術

3.2.5高(gao)壓(ya)設備的高(gao)精(jing)度(du)控(kong)制(zhi)(zhi)系統3.2.6腔(qiang)體介質材料的選(xuan)擇3.2.7加熱源(yuan)石墨3.3高(gao)壓(ya)燒(shao)結(jie)(jie)(jie)腔(qiang)體設計3.4高(gao)壓(ya)燒(shao)結(jie)(jie)(jie)AlN陶瓷制(zhi)(zhi)備工藝流程3.4.1高(gao)壓(ya)燒(shao)結(jie)(jie)(jie)AlN。

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熱(re)壓(ya)燒(shao)結AlN陶瓷(ci),以自蔓延高(gao)溫合成(SHS)的AlN粉體為原(yuan)料,以Y2O3-B2O3-CaF2和(he)YF3-B-CaF2系為燒(shao)結助劑,采(cai)用熱(re)壓(ya)燒(shao)結工藝(yi)制備AlN陶瓷(ci)。結果表明,采(cai)用燒(shao)結助劑,在(zai)。

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本論(lun)文探索(suo)了(le)AlN陶(tao)瓷的(de)(de)(de)燒結(jie)技(ji)(ji)術,利用本實驗(yan)室原位合(he)成(cheng)技(ji)(ji)術合(he)成(cheng)的(de)(de)(de)AlN粉末制備出了(le)高(gao)致密,高(gao)導熱的(de)(de)(de)AlN陶(tao)瓷。研究了(le)AlN陶(tao)瓷的(de)(de)(de)常壓燒結(jie)技(ji)(ji)術。通過(guo)熱力學條件和相圖(tu)的(de)(de)(de)。

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41、含(han)碳的(de)氮(dan)化(hua)鋁(lv)燒(shao)結體以(yi)及(ji)用于半導體制造檢測設備(bei)的(de)陶瓷基(ji)材收錄氮(dan)化(hua)鋁(lv)陶瓷相關期刊文(wen)獻151項1、海門建成氮(dan)化(hua)硅(gui)陶瓷基(ji)地2、高(gao)壓氮(dan)氣(qi)中自蔓(man)延燃(ran)燒(shao)合成氮(dan)化(hua)鋁(lv)。

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32CN00809591.4半導體(ti)加工設(she)備的防腐(fu)組件及其制(zhi)造(zao)方法33CN02106821.6用于半導體(ti)和功率模(mo)件的絕緣襯(chen)底(di)板34CN02115663.8放電等離子燒結(jie)法制(zhi)備氮化鋁(lv)透明陶瓷(ci)35。

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